Manufacturer
Infineon Technologies
Microchip Technology
Microsemi Corporation
NXP Semiconductors
NXP USA Inc.
onsemi
Renesas
Renesas Electronics America Inc.
Skyworks Solutions Inc.
Модельный ряд
*
-
GC15000
SMV1231
SMV1237
SMV1245
SMV1249
SMV1413
SMV2019
SMV2020
SMV2022
SMV2023
Пакет
Лента и катушка (TR)
Лоток
Насыпной
Разрезанная лента (CT)
Статус части
Активный
Не для новых разработок
Последняя покупка
Снято с производства в
Устаревший
Емкость при Вр, F
-
0,2пФ @ 20В, 1МГц
0,3пФ @ 20В, 1МГц
0,3пФ @ 4В, 1МГц
0,4пФ @ 20В, 1МГц
0,4пФ @ 4В, 1МГц
0,4пФ @ 6В, 1МГц
0,52пФ @ 28В, 1МГц
0,55пФ @ 20В, 1МГц
0,5пФ @ 4В, 1МГц
0,61пФ @ 6В, 500МГц
0,61пФ @ 6В, 50МГц
0,6пФ @ 4В, 1МГц
0,6пФ @ 6В, 1МГц
0,75пФ @ 26В, 1МГц
0,76пФ @ 25В, 1МГц
0,78пФ @ 4,7В, 50МГц
0,7пФ @ 4В, 1МГц
0,7пФ @ 4В, 50МГц
0,83пФ @ 26В, 1МГц
0,8пФ @ 4В, 1МГц
0,8пФ @ 6В, 1МГц
0,94пФ @ 6В, 500МГц
0,94пФ @ 6В, 50МГц
0,9пФ @ 20В, 1МГц
0,9пФ @ 28В, 1МГц
0.14pF @ 20V, 1MHz
0.34pF @ 20V, 50MHz
0.43pF @ 20V, 50MHz
0.4pF @ 0V, 1MHz
1,055пФ @ 28 В, 1 МГц
1,05пФ @ 28 В, 1 МГц
1,08пФ @ 20В, 1МГц
1,1пФ @ 6В, 50МГц
1,25 пФ @ 18 В, 1 МГц
1,2пФ @ 28В, 1МГц
1,2пФ @ 4В, 1МГц
1,3пФ @ 20В, 1МГц
1,45пФ @ 4В, 1МГц
1,45пФ @ 4В, 50МГц
1,5пФ @ 3В, 1МГц
1,5пФ @ 4В, 1МГц
1,7пФ @ 4,7В, 50МГц
1,81пФ @ 4В, 1МГц
1,8пФ @ 4В, 1МГц
1,9пФ @ 6В, 50МГц
10,6 пФ @ 6 В, 50 МГц
10пФ @ 20В, 1МГц
10пФ @ 4В, 1МГц
11,2 пФ при 2,3 В, 1 МГц
12,5пФ @ 2,5В, 1МГц
12пФ @ 4В, 50МГц
13,4 пФ @ 9 В, 1 МГц
13,8пФ @ 2В, 1МГц
13пФ @ 8В, 1МГц
14,4 пФ @ 6 В, 1 МГц
14,8 пФ @ 4,5 В, 1 МГц
16,5пФ @ 4В, 1МГц
16,84 пФ @ 6,5 В, 1 МГц
18,55пФ @ 8В, 1МГц
19,75пФ @ 8В, 1МГц
1пФ @ 4В, 1МГц
2,11пФ @ 4В, 50МГц
2,15пФ @ 4В, 1МГц
2,18пФ @ 25В, 1МГц
2,1пФ @ 28В, 1МГц
2,22пФ @ 28В, 1МГц
2,25пФ @ 28В, 1МГц
2,2пФ @ 28В, 1МГц
2,2пФ @ 4В, 1МГц
2,35пФ @ 4В, 1МГц
2,3пФ @ 28В, 1МГц
2,4пФ @ 20В, 1МГц
2,4пФ @ 25В, 1МГц
2,55пФ @ 4В, 1МГц
2,5пФ @ 4В, 1МГц
2,6пФ @ 20В, 1МГц
2,754 пФ @ 28 В, 1 МГц
2,75пФ @ 28В, 1МГц
2,7пФ @ 4В, 1МГц
2,89пФ @ 28В, 1МГц
2,8пФ @ 25В, 1МГц
2,8пФ @ 4,7В, 50МГц
2,92пФ @ 25В, 1МГц
2,95пФ @ 4В, 1МГц
2,9пФ @ 2,5В, 1МГц
2,9пФ @ 28В, 1МГц
2,9пФ @ 4В, 500МГц
2.13pF @ 10V, 1MHz
2.225pF @ 28V, 1MHz
21,2пФ @ 1В, 1МГц
22,7пФ @ 8В, 1МГц
22пФ @ 4В, 1МГц
24,2пФ @ 4В, 1МГц
24пФ @ 8В, 1МГц
25,5 пФ @ 8 В, 1 МГц
25пФ @ 3В, 1МГц
26,3пФ @ 8В, 1МГц
27пФ @ 4В, 1МГц
27пФ @ 6,5В, 1МГц
28,2пФ @ 8В, 1МГц
29,7пФ @ 4В, 1МГц
29пФ @ 4В, 1МГц
2пФ @ 20В, 1МГц
2пФ @ 28В, 1МГц
2пФ @ 4В, 1МГц
2пФ @ 6В, 1МГц
2пФ @ 6В, 50МГц
3,25пФ @ 4В, 1МГц
3,3пФ @ 28В, 1МГц
3,3пФ @ 4В, 1МГц
3,6 пФ @ 4 В, 1 МГц
3,6 пФ @ 6 В, 50 МГц
3,7пФ @ 4В, 1МГц
3,9пФ @ 4В, 1МГц
3.8pF @ 4.7V, 50MHz
32пФ @ 3В, 1МГц
33пФ @ 4В, 1МГц
36,3пФ @ 4В, 1МГц
3пФ @ 4В, 1МГц
4,1пФ @ 20В, 1МГц
4,42пФ @ 4В, 1МГц
4,5пФ @ 4В, 1МГц
4,6 пФ @ 7 В, 1 МГц
4,7пФ @ 4В, 1МГц
4,8пФ @ 4В, 1МГц
4.42pF @ 4V, 50MHz
4.8pF @ 4.7V, 50MHz
42пФ @ 3В, 1МГц
46,5пФ @ 2В, 1МГц
47,5пФ @ 2В, 1МГц
48,1пФ @ 2В, 1МГц
5,3пФ @ 6В, 50МГц
5,4 пФ @ 4 В, 50 МГц
5,4 пФ @ 7,5 В, 1 МГц
5,4пФ @ 1В, 1МГц
5,5пФ @ 4В, 1МГц
5,5пФ @ 4В, 50МГц
5,6 пФ @ 4 В, 1 МГц
5,8 пФ @ 4,7 В, 50 МГц
6,1пФ @ 2В, 1МГц
6,5пФ @ 10В, 1МГц
6,6 пФ @ 4 В, 1 МГц
6,8пФ @ 20В, 1МГц
6,8пФ @ 4В, 1МГц
6пФ @ 25В, 1МГц
6пФ @ 4В, 1МГц
7,55пФ @ 4В, 1МГц
7,5пФ @ 4В, 1МГц
9,8 пФ @ 2,5 В, 1 МГц
Отношение емкостей
-
1.55
1.71
1.75
1.76
1.8
1.85
1.9
10
10.2
10.8
10.9
11
11.3
11.5
12
12.1
12.2
12.3
12.4
12.6
12.7
13
13.1
14
14.7
15
15.3
16
16.4
16.6
17.8
19.5
2
2.2
2.25
2.3
2.35
2.4
2.42
2.5
2.6
2.7
2.8
20.9
22
23.2
24.5
25
3
3.1
3.2
3.3
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
3.9
4
4.1
4.2
4.3
4.45
4.5
4.6
4.8
5
5.2
5.3
5.4
5.5
5.6
5.9
6
6.1
6.3
6.5
7
7.4
7.7
8
8.3
8.9
9
9.5
9.6
9.8
9.9
Условие соотношения емкостей
-
C0.1/C4
C0.2/C2.3
C0.3/C4.7
C0.5/C2
C0.5/C2.5
C0.5/C28
C0/C15
C0/C20
C0/C30
C0/C45
C0/C60
C1/C10
C1/C20
C1/C25
C1/C26
C1/C28
C1/C4
C1/C5
C1/C6
C1/C6.5
C1/C7
C1/C7.5
C1/C8
C1/C9
C2/C10
C2/C12
C2/C20
C2/C25
C2/C30
C2/C8
C3/C20
C3/C25
C3/C30
C3/C8
C4/C20
C4/C30
Напряжение - пиковое обратное (макс.)
-
10 V
12 V
13 V
14 V
15 V
16 V
18 V
20 V
22 V
24 V
25 V
26 V
28 V
29 V
30 V
32 V
33 V
40 V
45 V
50 V
6 V
60 V
Тип диода
-
1 пара Общий катод
Single
Q @ Vr, F
-
100 @ 3 В, 100 МГц
1000 @ 4 В, 50 МГц
1100 @ 4 В, 50 МГц
1200 @ 4 В, 50 МГц
1300 @ 4 В, 50 МГц
140 @ 3 В, 100 МГц
1400 @ 4 В, 50 МГц
150 @ 2 В, 100 МГц
150 @ 3 В, 50 МГц
1500 @ 3 В, 50 МГц
1500 @ 4 В, 50 МГц
1680 @ 4 В, 50 МГц
1700 @ 4 В, 50 МГц
1800 @ 4 В, 50 МГц
1900 @ 4 В, 50 МГц
200 @ 1 В, 1 МГц
200 @ 2 В, 100 МГц
200 @ 3 В, 50 МГц
200 @ 4 В, 50 МГц
2000 @ 4 В, 50 МГц
2200 @ 4 В, 50 МГц
2400 @ 4 В, 50 МГц
250 @ 2 В, 50 МГц
250 @ 3 В, 50 МГц
2500 @ 4 В, 50 МГц
2600 @ 4 В, 50 МГц
2800 @ 4 В, 50 МГц
2900 @ 4 В, 50 МГц
300 @ 3 В, 50 МГц
300 @ 4 В, 50 МГц
3000 @ 4 В, 50 МГц
3100 @ 4 В, 50 МГц
3200 @ 4 В, 50 МГц
3300 @ 4 В, 50 МГц
350 @ 3 В, 50 МГц
350 @ 4 В, 50 МГц
3500 @ 4 В, 50 МГц
3600 @ 4 В, 50 МГц
3800 @ 4 В, 50 МГц
3900 @ 4 В, 50 МГц
400 @ 3 В, 50 МГц
400 @ 4 В, 50 МГц
4000 @ 4 В, 50 МГц
450 @ 3 В, 50 МГц
450 @ 4 В, 50 МГц
500 @ 4 В, 50 МГц
5000 @ 4 В, 50 МГц
60 @ 3 В, 100 МГц
600 @ 25 В, 200 МГц
600 @ 3 В, 50 МГц
6000 @ 4 В, 50 МГц
70 @ 3 В, 100 МГц
700 @ 3 В, 50 МГц
700 @ 4 В, 50 МГц
7000 @ 4 В, 50 МГц
75 @ 3 В, 500 МГц
7500 @ 4 В, 50 МГц
800 @ 4 В, 50 МГц
8000 @ 4 В, 50 МГц
900 @ 4 В, 50 МГц
Тип крепления
-
Крепление на шпильке
Поверхностный монтаж
Сквозное отверстие
  • Варианты складирования
  • СМИ
Применить все

Продукты-662 Запись

Настройка столбцов
Mfr Part #
Цена ($)
Количество в наличии
Модельный ряд
Пакет
Статус части
Емкость при Вр, F
Отношение емкостей
Условие соотношения емкостей
Напряжение - пиковое обратное (макс.)
Тип диода
Q @ Vr, F
Тип крепления
MV21009-150A
MV21009-150A
MV21009-150A
GAAS TVAR NON HERMETIC EPSM SMT
Microchip Technology
в продаже4644-Лента и катушка (TR)-1,8пФ @ 4В, 1МГц4.5C0/C3030 VSingle5000 @ 4 В, 50 МГцПоверхностный монтаж
MV31020-P00
MV31020-P00
MV31020-P00
GAAS TVAR NON HERMETIC CHIP
Microchip Technology
в продаже2882-Лоток-3,3пФ @ 4В, 1МГц11.3C2/C2022 VSingle2000 @ 4 В, 50 МГцПоверхностный монтаж
BB184,135
BB184,135
BB184,135
DIODE UHF VAR CAP 13V SOD523
NXP USA Inc.
остановить производство2428-Лента и катушка (TR)-2.13pF @ 10V, 1MHz7C1/C1013 VSingle-Поверхностный монтаж
MV31020-150A/TR
MV31020-150A/TR
MV31020-150A/TR
GAAS TVAR NON HERMETIC EPSM SMT
Microchip Technology
в продаже2706-Лоток-3,3пФ @ 4В, 1МГц11.3C2/C2022 VSingle2000 @ 4 В, 50 МГцПоверхностный монтаж
BB659H7902
BB659H7902
BB659H7902
VARIABLE CAPACITANCE DIODE
Infineon Technologies
₽2.8312000-Насыпной-2,9пФ @ 28В, 1МГц14.7C1/C2830 VSingle-Поверхностный монтаж
BBY40,235
BBY40,235
BBY40,235
DIODE VHF VAR CAP 30V SOT23
NXP USA Inc.
₽47.2913027-Лента и катушка (TR)-6пФ @ 25В, 1МГц6.5C3/C2530 VSingle-Поверхностный монтаж
GC2530-30
GC2530-30
GC2530-30
SI SRD HERMETIC PILL
Microchip Technology
в продаже2094-Насыпной-0,4пФ @ 6В, 1МГц--30 VSingle-Крепление на шпильке
₽31.74124420-Лента и катушка (TR)--4.2C4/C2022 VSingle500 @ 4 В, 50 МГцПоверхностный монтаж
₽16.0832000-Насыпной--------
MMBV409LT1G
MMBV409LT1G
MMBV409LT1G
DIODE TUNING SS 20V SOT-23
onsemi
остановить производство4270-Лента и катушка (TR)-32пФ @ 3В, 1МГц1.9C3/C820 VSingle200 @ 3 В, 50 МГцПоверхностный монтаж
MMBV2108LT1G
MMBV2108LT1G
MMBV2108LT1G
DIODE TUNING SS 30V SOT-23
onsemi
₽2.164044-Лента и катушка (TR)-29,7пФ @ 4В, 1МГц3.2C2/C3030 VSingle300 @ 4 В, 50 МГцПоверхностный монтаж
MV31022-150A/TR
MV31022-150A/TR
MV31022-150A/TR
GAAS TVAR NON HERMETIC EPSM SMT
Microchip Technology
в продаже3786-Лоток-4,7пФ @ 4В, 1МГц12C2/C2022 VSingle1500 @ 4 В, 50 МГцПоверхностный монтаж
MV31021-150A
MV31021-150A
MV31021-150A
GAAS TVAR NON HERMETIC EPSM SMT
Microchip Technology
в продаже2123-Лента и катушка (TR)-3,7пФ @ 4В, 1МГц11.5C2/C2022 VSingle2000 @ 4 В, 50 МГцПоверхностный монтаж
₽12.7015403-Насыпной--------
SMV1232-040LF
SMV1232-040LF
SMV1232-040LF
DIODE VARACTOR 15V 20MA 0402
Skyworks Solutions Inc.
₽20.3130000-Лента и катушка (TR)-1,5пФ @ 3В, 1МГц3.3C1/C615 VSingle-Поверхностный монтаж
GC15011-00
GC15011-00
GC15011-00
SI TVAR NON HERMETIC CHIP
Microchip Technology
в продаже2692-Лоток-4,1пФ @ 20В, 1МГц13C0/C2022 VSingle500 @ 4 В, 50 МГцПоверхностный монтаж
GC2510-150A/TR
GC2510-150A/TR
GC2510-150A/TR
SI SRD NON HERMETIC EPSM SMT
Microchip Technology
в продаже4288-Лоток-0,4пФ @ 6В, 1МГц--15 VSingle-Поверхностный монтаж
₽13.9729637-Лента и катушка (TR)-0,83пФ @ 26В, 1МГц19.5C1/C2628 VSingle-Поверхностный монтаж
BB179B,315
BB179B,315
BB179B,315
DIODE UHF VAR CAP 32V SOD523
NXP USA Inc.
₽6.622348-Лента и катушка (TR)-2,25пФ @ 28В, 1МГц10C1/C2832 VSingle-Поверхностный монтаж
₽36.8923287-Насыпной--------
MV2108
MV2108
MV2108
DIODE VAR CAP SINGLE 30V 27PF 2-
onsemi
₽32.1635781-Насыпной--------
₽25.682066-Лента и катушка (TR)----22 VSingle400 @ 4 В, 50 МГцПоверхностный монтаж
HVU358TRF-E
HVU358TRF-E
₽14.189000-Насыпной--------
SVC390-AL-ON
SVC390-AL-ON
SVC390-AL-ON
HYPER-ABRUPT JUNCTION TYPE SILIC
onsemi
₽39.7314400-Насыпной--------
BB172115
BB172115
BB172115
VARIABLE CAPACITANCE DIODE
NXP USA Inc.
остановить производство2827-Насыпной--------
Mfr Part #
MV21009-150A
MV21009-150A
MV21009-150A
GAAS TVAR NON HERMETIC EPSM SMT
Microchip Technology
MV31020-P00
MV31020-P00
MV31020-P00
GAAS TVAR NON HERMETIC CHIP
Microchip Technology
BB184,135
BB184,135
BB184,135
DIODE UHF VAR CAP 13V SOD523
NXP USA Inc.
MV31020-150A/TR
MV31020-150A/TR
MV31020-150A/TR
GAAS TVAR NON HERMETIC EPSM SMT
Microchip Technology
BB659H7902
BB659H7902
BB659H7902
VARIABLE CAPACITANCE DIODE
Infineon Technologies
BBY40,235
BBY40,235
BBY40,235
DIODE VHF VAR CAP 30V SOT23
NXP USA Inc.
GC2530-30
GC2530-30
GC2530-30
SI SRD HERMETIC PILL
Microchip Technology
MMBV409LT1G
MMBV409LT1G
MMBV409LT1G
DIODE TUNING SS 20V SOT-23
onsemi
MMBV2108LT1G
MMBV2108LT1G
MMBV2108LT1G
DIODE TUNING SS 30V SOT-23
onsemi
MV31022-150A/TR
MV31022-150A/TR
MV31022-150A/TR
GAAS TVAR NON HERMETIC EPSM SMT
Microchip Technology
MV31021-150A
MV31021-150A
MV31021-150A
GAAS TVAR NON HERMETIC EPSM SMT
Microchip Technology
SMV1232-040LF
SMV1232-040LF
SMV1232-040LF
DIODE VARACTOR 15V 20MA 0402
Skyworks Solutions Inc.
GC15011-00
GC15011-00
GC15011-00
SI TVAR NON HERMETIC CHIP
Microchip Technology
GC2510-150A/TR
GC2510-150A/TR
GC2510-150A/TR
SI SRD NON HERMETIC EPSM SMT
Microchip Technology
BB179B,315
BB179B,315
BB179B,315
DIODE UHF VAR CAP 32V SOD523
NXP USA Inc.
MV2108
MV2108
MV2108
DIODE VAR CAP SINGLE 30V 27PF 2-
onsemi
HVU358TRF-E
HVU358TRF-E
SVC390-AL-ON
SVC390-AL-ON
SVC390-AL-ON
HYPER-ABRUPT JUNCTION TYPE SILIC
onsemi
BB172115
BB172115
BB172115
VARIABLE CAPACITANCE DIODE
NXP USA Inc.
45
Обслуживание клиентов в 45 странах
1000+
Мировые производители
$140M
За пять лет рост составил 140 млн. долл. США
50.0M+
Доставка 50 миллионов за 5 лет.