Одиночные биполярные транзисторы с предварительным сопряжением

Номер детали:

Manufacturer

Fairchild Semiconductor

Infineon Technologies

NXP Semiconductors

NXP USA Inc.

onsemi

Renesas Electronics America Inc.

Модельный ряд

PDTB143

Автомобильная промышленность, AEC-Q101

Пакет

Лента и катушка (TR)

Лента и коробка (ТБ)

Насыпной

Разрезанная лента (CT)

Статус части

Активный

Последняя покупка

Снято с производства в

Устаревший

Тип транзистора

NPN - с предварительным соединением

PNP - Pre-Biased

Ток - коллектор (Ic) (макс.)

100 мА

20 мА

3 A

500 мА

600 мА

70 мА

800 мА

Напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.)

15 V

30 V

40 V

50 V

80 V

Резистор - база (R1)

1 кОм

10 кОм

100 кОм

2,2 кОм

22 кОм

4,7 кОм

47 кОм

Резистор - база эмиттера (R2)

1 кОм

10 кОм

100 кОм

2,2 кОм

22 кОм

4,7 кОм

47 кОм

Усиление постоянного тока (hFE) (мин.) при Ic, Vce

100 @ 1 мА, 5 В

100 @ 10 мА, 5 В

100 @ 5 мА, 5 В

100 @ 50 мА, 5 В

120 @ 5 мА, 10 В

120 @ 5 мА, 5 В

125 @ 800 мА, 1 В

15 @ 5 мА, 10 В

160 @ 5 мА, 10 В

180 @ 300 мА, 5 В

20 @ 10 мА, 5 В

20 @ 5 мА, 5 В

20 @ 50 мА, 5 В

200 @ 1 мА, 5 В

22 @ 10 мА, 5 В

280 @ 300 мА, 5 В

3 @ 5 мА, 10 В

30 @ 10 мА, 5 В

30 @ 20 мА, 5 В

30 @ 40 мА, 5 В

30 @ 5 мА, 5 В

33 @ 10 мА, 5 В

33 @ 50 мА, 5 В

35 @ 5 мА, 10 В

35 @ 5 мА, 5 В

40 @ 5 мА, 5 В

40 @ 50 мА, 5 В

4000 @ 300 мА, 2 В

50 @ 10 мА, 5 В

50 @ 5 мА, 5 В

500 @ 300 мА, 5 В

56 @ 5 мА, 5 В

60 @ 5 мА, 10 В

60 @ 5 мА, 5 В

60 @ 50 мА, 5 В

68 @ 5 мА, 5 В

70 @ 5 мА, 5 В

70 @ 50 мА, 5 В

8 @ 5 мА, 10 В

80 @ 5 мА, 10 В

80 @ 5 мА, 5 В

80 @ 5A, 5V

95 @ 50 мА, 5 В

Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic

1,15 В @ 8 мА, 800 мА

1,2 В @ 1 мА, 500 мА

100 мВ @ 2,5 мА, 50 мА

100 мВ при 250 мкА, 5 мА

100 мВ при 500 мкА, 10 мА

150 мВ при 1,5 мА, 30 мА

150 мВ при 250 мкА, 5 мА

150 мВ при 500 мкА, 10 мА

200 мВ при 250 мкА, 5 мА

210 мВ при 20 мА, 800 мА

250 мВ при 1 мА, 10 мА

250 мВ при 300 мкА, 10 мА

250 мВ при 5 мА, 10 мА

300 мВ при 1 мА, 10 мА

300 мВ при 2,5 мА, 50 мА

300 мВ при 500 мкА, 10 мА

550 мВ при 300 мА, 3 А

80 мВ при 2,5 мА, 50 мА

Варианты складирования

На складе
СМИ

Информационный листФото

Применить все

Продукты-1203 Запись

Настройка столбцов

Mfr Part #	Цена ($)	Количество в наличии	Модельный ряд	Пакет	Статус части	Тип транзистора	Ток - коллектор (Ic) (макс.)	Напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.)	Резистор - база (R1)	Резистор - база эмиттера (R2)	Усиление постоянного тока (hFE) (мин.) при Ic, Vce	Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic
PDTC114ET215 NOW NEXPERIA PDTC114ET - SMALL S NXP USA Inc.	₽1.14	86263	*	Насыпной	Активный	-	-	-	-	-	-	-
PDTC144TM,315 NEXPERIA PDTC144 - NPN RESISTOR- NXP Semiconductors	₽1.89	38936	*	Насыпной	Активный	-	-	-	-	-	-	-
PDTA143XT,215 NEXPERIA PDTA143XT - SMALL SIGNA NXP Semiconductors	₽0.12	547457	*	Насыпной	Активный	-	-	-	-	-	-	-
PDTC143TT,215 NEXPERIA PDTC143TT - SMALL SIGNA NXP Semiconductors	₽0.94	422185	*	Насыпной	Активный	-	-	-	-	-	-	-
PDTA143TT,215 NEXPERIA PDTA143TT - SMALL SIGNA NXP Semiconductors	₽1.89	206009	*	Насыпной	Активный	-	-	-	-	-	-	-
PDTC143ZMB,315 NEXPERIA PDTC143ZMB - SMALL SIGN NXP Semiconductors	₽1.89	126840	*	Насыпной	Активный	-	-	-	-	-	-	-
PDTA114TMB,315 NEXPERIA PDTA114 - SMALL SIGNAL NXP Semiconductors	₽1.89	668175	*	Насыпной	Активный	-	-	-	-	-	-	-
PDTD113ZT,215 NEXPERIA PDTD113 - NPN 500 MA, NXP Semiconductors	₽2.54	39000	*	Насыпной	Активный	-	-	-	-	-	-	-
PDTC115EM,315 NOW NEXPERIA PDTC115EM - SMALL S NXP Semiconductors	в продаже	3699	-	Насыпной	Активный	NPN - с предварительным соединением	20 мА	50 V	100 кОм	100 кОм	80 @ 5 мА, 5 В	150 мВ при 250 мкА, 5 мА
PDTC144EQA147 SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR NXP USA Inc.	₽2.83	19000	*	Насыпной	Активный	-	-	-	-	-	-	-
PDTD123EQA147 SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR NXP USA Inc.	₽2.83	35000	*	Насыпной	Активный	-	-	-	-	-	-	-
PDTA144EU/ZL115 SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR NXP USA Inc.	₽3.78	4592	*	Насыпной	Активный	-	-	-	-	-	-	-
PDTB143EU135 SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR NXP USA Inc.	в продаже	2724	*	Насыпной	Активный	-	-	-	-	-	-	-
PDTD123YU115 0.5A, 50V, NPN, SOT323 NXP USA Inc.	в продаже	4442	*	Насыпной	Активный	-	-	-	-	-	-	-
PDTC144WU,115 NOW NEXPERIA PDTC144WU - SMALL S NXP USA Inc.	₽0.18	57000	-	Насыпной	Активный	NPN - с предварительным соединением	100 мА	50 V	47 кОм	22 кОм	60 @ 5 мА, 5 В	150 мВ при 500 мкА, 10 мА
PDTC143XMB315 NOW NEXPERIA PDTC143XMB - SMALL NXP USA Inc.	₽1.89	159840	*	Насыпной	Активный	-	-	-	-	-	-	-
PDTC143TMB,315 NOW NEXPERIA PDTC143TMB - SMALL NXP USA Inc.	₽1.89	117900	-	Насыпной	Активный	NPN - с предварительным соединением	100 мА	50 V	4,7 кОм	-	200 @ 1 мА, 5 В	100 мВ при 250 мкА, 5 мА
PDTA124XMB,315 NOW NEXPERIA PDTA124XMB - SMALL NXP USA Inc.	₽1.89	154938	-	Насыпной	Активный	PNP - Pre-Biased	100 мА	50 V	22 кОм	47 кОм	80 @ 5 мА, 5 В	150 мВ при 500 мкА, 10 мА
PDTC123JM,315 NOW NEXPERIA PDTC123JM - SMALL S NXP USA Inc.	₽1.89	2024	-	Насыпной	Активный	NPN - с предварительным соединением	100 мА	50 V	2,2 кОм	47 кОм	100 @ 10 мА, 5 В	100 мВ при 250 мкА, 5 мА
PDTA144EU,115 NOW NEXPERIA PDTA144EU - SMALL S NXP USA Inc.	₽2.19	44500	-	Насыпной	Активный	PNP - Pre-Biased	100 мА	50 V	47 кОм	47 кОм	80 @ 5 мА, 5 В	150 мВ при 500 мкА, 10 мА
PDTA144TMB,315 NOW NEXPERIA PDTA144TMB - SMALL NXP USA Inc.	₽1.89	169326	-	Насыпной	Активный	PNP - Pre-Biased	100 мА	50 V	47 кОм	-	100 @ 1 мА, 5 В	150 мВ при 500 мкА, 10 мА
PDTC124EE,115 NEXPERIA PDTC124E - SMALL SIGNAL NXP USA Inc.	₽1.89	155442	*	Насыпной	Активный	-	-	-	-	-	-	-
PDTB143EUF NOW NEXPERIA PDTB143EUF - SMALL NXP USA Inc.	₽2.83	37245	-	Насыпной	Активный	NPN - с предварительным соединением	500 мА	50 V	4,7 кОм	4,7 кОм	60 @ 50 мА, 5 В	100 мВ @ 2,5 мА, 50 мА
PDTC144TM315 NOW NEXPERIA PDTC144TM SMALL SIG NXP USA Inc.	в продаже	2708	*	Насыпной	Активный	-	-	-	-	-	-	-
PDTC123EMB NOW NEXPERIA PDTC123EMB - SMALL NXP USA Inc.	в продаже	3110	*	Насыпной	Активный	-	-	-	-	-	-	-

	Mfr Part #
	PDTC114ET215 NOW NEXPERIA PDTC114ET - SMALL S NXP USA Inc.
	PDTC144TM,315 NEXPERIA PDTC144 - NPN RESISTOR- NXP Semiconductors
	PDTA143XT,215 NEXPERIA PDTA143XT - SMALL SIGNA NXP Semiconductors
	PDTC143TT,215 NEXPERIA PDTC143TT - SMALL SIGNA NXP Semiconductors
	PDTA143TT,215 NEXPERIA PDTA143TT - SMALL SIGNA NXP Semiconductors
	PDTC143ZMB,315 NEXPERIA PDTC143ZMB - SMALL SIGN NXP Semiconductors
	PDTA114TMB,315 NEXPERIA PDTA114 - SMALL SIGNAL NXP Semiconductors
	PDTD113ZT,215 NEXPERIA PDTD113 - NPN 500 MA, NXP Semiconductors
	PDTC115EM,315 NOW NEXPERIA PDTC115EM - SMALL S NXP Semiconductors
	PDTC144EQA147 SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR NXP USA Inc.
	PDTD123EQA147 SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR NXP USA Inc.
	PDTA144EU/ZL115 SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR NXP USA Inc.
	PDTB143EU135 SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR NXP USA Inc.
	PDTD123YU115 0.5A, 50V, NPN, SOT323 NXP USA Inc.
	PDTC144WU,115 NOW NEXPERIA PDTC144WU - SMALL S NXP USA Inc.
	PDTC143XMB315 NOW NEXPERIA PDTC143XMB - SMALL NXP USA Inc.
	PDTC143TMB,315 NOW NEXPERIA PDTC143TMB - SMALL NXP USA Inc.
	PDTA124XMB,315 NOW NEXPERIA PDTA124XMB - SMALL NXP USA Inc.
	PDTC123JM,315 NOW NEXPERIA PDTC123JM - SMALL S NXP USA Inc.
	PDTA144EU,115 NOW NEXPERIA PDTA144EU - SMALL S NXP USA Inc.
	PDTA144TMB,315 NOW NEXPERIA PDTA144TMB - SMALL NXP USA Inc.
	PDTC124EE,115 NEXPERIA PDTC124E - SMALL SIGNAL NXP USA Inc.
	PDTB143EUF NOW NEXPERIA PDTB143EUF - SMALL NXP USA Inc.
	PDTC144TM315 NOW NEXPERIA PDTC144TM SMALL SIG NXP USA Inc.
	PDTC123EMB NOW NEXPERIA PDTC123EMB - SMALL NXP USA Inc.