Массивы биполярных транзисторов с предварительным соединением

Номер детали:

Manufacturer

Cypress Semiconductor Corp

Freescale Semiconductor

Infineon Technologies

NXP Semiconductors

NXP USA Inc.

onsemi

Модельный ряд

Автомобильная промышленность, AEC-Q101

ЭМП

Пакет

Лента и катушка (TR)

Насыпной

Разрезанная лента (CT)

Статус части

Активный

Не для новых разработок

Последняя покупка

Снято с производства в

Устаревший

Тип транзистора

1 NPN Pre-Biased, 1 NPN

1 NPN с предварительным соединением, 1 PNP

1 NPN, 1 PNP - предварительно соединенные (сдвоенные)

1 NPN, 1 PNP - с предварительным соединением

1 PNP Pre-Biased, 1 PNP

2 NPN - предварительно соединенные (сдвоенные)

2 NPN - с предварительным соединением

2 NPN, 1 PNP - с предварительным соединением

2 PNP - предварительно соединенные (сдвоенные)

2 PNP Pre-Biased (Dual)

Ток - коллектор (Ic) (макс.)

100 мА

100 мА, 200 мА

100 мА, 3 А

100 мА, 500 мА

100 мА, 700 мА

150 мА

200 мА

500 мА

70 мА

70 мА, 100 мА

Напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.)

50 В, 12 В

50 В, 15 В

50 В, 20 В

50 В, 40 В

50 В, 60 В

50 В, 65 В

50V

Резистор - база (R1)

1 кОм

10 кОм

100 кОм

13 кОм, 130 Ом

175 Ом, 10 кОм

2,2 кОм

2,2 кОм, 47 кОм

22 кОм

4,7 кОм

4,7 кОм, 10 кОм

4,7 кОм, 22 кОм

4,7 кОм, 47 кОм

47 кОм

47 кОм, 10 кОм

47 кОм, 2,2 кОм

47 кОм, 4,7 кОм

Резистор - база эмиттера (R2)

1 кОм

10 кОм

10 кОм, 47 кОм

100 кОм

175 Ом, 10 кОм

2,2 кОм

22 кОм

4,7 кОм

4,7 кОм, 10 кОм

47 кОм

47 кОм, 10 кОм

47 кОм, 47 кОм

Усиление постоянного тока (hFE) (мин.) при Ic, Vce

100 @ 1 мА, 5 В

100 @ 1 мА, 5 В / 68 @ 100 мА, 5 В

100 @ 10 мА, 5 В

100 @ 5 мА, 5 В

120 @ 5 мА, 5 В

15 @ 5 мА, 10 В

160 @ 5 мА, 10 В

20 @ 5 мА, 10 В

200 @ 1 мА, 5 В

3 @ 5 мА, 10 В

30 @ 10 мА, 5 В

30 @ 10 мА, 5 В / 150 @ 100 мА, 2 В

30 @ 10 мА, 5 В / 150 @ 2А, 2 В

30 @ 20 мА, 5 В

30 @ 20 мА, 5 В / 150 @ 100 мА, 2 В

30 @ 20мА, 5В / 150 @ 2А, 2В

30 @ 5 мА, 5 В

30 @ 5 мА, 5 В / 150 @ 100 мА. 2V

30 @ 5 мА, 5 В / 150 @ 2 А, 2 В

30 @ 5 мА, 5 В / 200 @ 10 мА, 2 В

30 @ 5 мА, 5 В / 210 @ 2 мА, 10 В

35 @ 5 мА, 10 В

35 @ 5 мА, 10 В / 15 @ 5 мА, 10 В

35 @ 5 мА, 10 В / 200 @ 2 мА, 5 В

35 @ 5 мА, 10 В / 220 @ 2 мА, 5 В

50 @ 5 мА, 5 В

60 @ 5 мА, 10 В

60 @ 5 мА, 5 В

60 @ 5 мА, 5 В / 150 @ 100 мА, 2 В

60 @ 5 мА, 5 В / 300 @ 100 мА, 5 В

70 @ 5 мА, 5 В

70 @ 50 мА, 5 В

8 @ 5 мА, 10 В

80 @ 5 мА, 1 В

80 @ 5 мА, 10 В

80 @ 5 мА, 10 В / 100 @ 1 мА, 10 В

80 @ 5 мА, 10 В / 120 @ 1 мА, 6 В

80 @ 5 мА, 10 В / 120 @ 5 мА, 10 В

80 @ 5 мА, 10 В / 20 @ 5 мА, 10 В

80 @ 5 мА, 10 В / 220 @ 2 мА, 5 В

80 @ 5 мА, 10 В / 270 @ 10 мА, 2 В

80 @ 5 мА, 5 В

80 @ 5 мА, 5 В / 100 @ 10 мА, 5 В

80 @ 5 мА, 5 В / 120 @ 1 мА, 6 В

80 @ 5 мА, 5 В / 150 @ 100 мА, 2 В

80 @ 5 мА, 5 В / 150 @ 500 мА, 5 В

Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic

100 мВ при 250 мкА, 5 мА

150 мВ @ 500 мкА, 10 мА / 200 мВ @ 5 мА, 50 мА

150 мВ при 500 мкА, 10 мА

150 мВ при 500 мкА, 10 мА / 100 мВ при 250 мкА, 5 мА

150 мВ при 500 мкА, 10 мА / 250 мВ при 10 мА, 100 мА

150 мВ при 500 мкА, 10 мА / 250 мВ при 50 мА, 500 мА

150 мВ при 500 мкА, 10 мА / 310 мВ при 100 мА, 1 А

150 мВ при 500 мкА, 10 мА / 340 мВ при 100 мА, 1 А

150 мВ при 500 мкА, 10 мА / 350 мВ при 50 мА, 500 мА

150 мВ при 500 мкА, 10 мА / 355 мВ при 300 мА, 3 А

250 мВ @ 300 мкА, 10 мА / 250 мВ @ 10 мА, 200 мА

250 мВ @ 300 мкА, 10 мА / 400 мВ @ 5 мА, 50 мА

250 мВ @ 300 мкА, 10 мА / 500 мВ @ 5 мА, 50 мА

250 мВ @ 300 мкА, 10 мА / 600 мВ @ 5 мА, 100 мА

250 мВ @ 300 мкА, 10 мА / 650 мВ @ 5 мА, 100 мА

250 мВ @ 5 мА, 10 мА / 500 мВ @ 5 мА, 50 мА

250 мВ при 1 мА, 10 мА

250 мВ при 1 мА, 10 мА / 250 мВ при 300 мкА, 10 мА

250 мВ при 300 мкА, 10 мА

250 мВ при 300 мкА, 10 мА / 250 мВ при 1 мА, 10 мА

250 мВ при 300 мкА, 10 мА / 300 мВ при 500 мкА, 10 мА

250 мВ при 5 мА, 10 мА

300 мВ при 1 мА, 10 мА

300 мВ при 2,5 мА, 50 мА

300 мВ при 500 мкА, 10 мА

Варианты складирования

На складе
СМИ

Информационный листФото

Применить все

Продукты-596 Запись

Настройка столбцов

Mfr Part #	Цена ($)	Количество в наличии	Модельный ряд	Пакет	Статус части	Тип транзистора	Ток - коллектор (Ic) (макс.)	Напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.)	Резистор - база (R1)	Резистор - база эмиттера (R2)	Усиление постоянного тока (hFE) (мин.) при Ic, Vce	Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic
PUMB9,115 NEXPERIA PUMB9 - SMALL SIGNAL BI NXP Semiconductors	₽0.21	21635	*	Насыпной	Активный	-	-	-	-	-	-	-
PUMB2,115 NEXPERIA PUMB2 - SMALL SIGNAL BI NXP Semiconductors	₽4.47	77754	*	Насыпной	Активный	-	-	-	-	-	-	-
PQMH9Z Digital BJT 2 NPN - Pre-Biased ( NXP Semiconductors	₽2.83	2821	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Насыпной	Активный	2 NPN - с предварительным соединением	100 мА	50V	10 кОм	47 кОм	100 @ 5 мА, 5 В	100 мВ при 250 мкА, 5 мА
PEMB16,115 NEXPERIA PEMB16 - SMALL SIGNAL B NXP Semiconductors	₽3.78	12000	*	Насыпной	Активный	-	-	-	-	-	-	-
PEMH18,115 NEXPERIA PEMH18 - SMALL SIGNAL B NXP Semiconductors	в продаже	4316	*	Насыпной	Активный	-	-	-	-	-	-	-
PUMH9/ZL165 Nexperia PUMH9 Small Signal Bipo NXP Semiconductors	остановить производство	2748	-	Насыпной	Устаревший	2 NPN - с предварительным соединением	100 мА	50V	10 кОм	47 кОм	100 @ 5 мА, 5 В	100 мВ при 250 мкА, 5 мА
PUMD9/L115 SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR NXP USA Inc.	₽1.89	3012	*	Насыпной	Активный	-	-	-	-	-	-	-
PUMH2/HE115 SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR NXP USA Inc.	₽2.83	27000	*	Насыпной	Активный	-	-	-	-	-	-	-
PBLS1503V,115-NXP 0.1A 50V 2-ELEMENT NPN AND PNP NXP USA Inc.	₽6.62	12000	-	Насыпной	Активный	1 NPN с предварительным соединением, 1 PNP	100 мА, 500 мА	50 В, 15 В	10 кОм	10 кОм	30 @ 5 мА, 5 В / 200 @ 10 мА, 2 В	150 мВ при 500 мкА, 10 мА / 250 мВ при 50 мА, 500 мА
PUMB16,115 NOW NEXPERIA PUMB16 - SMALL SIGN NXP USA Inc.	₽1.89	112500	-	Насыпной	Активный	2 PNP - предварительно соединенные (сдвоенные)	100 мА	50V	22 кОм	47 кОм	80 @ 5 мА, 5 В	150 мВ при 500 мкА, 10 мА
PEMD20,115 NOW NEXPERIA PEMD20 - SMALL SIGN NXP USA Inc.	₽5.67	3465	-	Насыпной	Активный	1 NPN, 1 PNP - предварительно соединенные (сдвоенные)	100 мА	50V	2,2 кОм	2,2 кОм	30 @ 20 мА, 5 В	150 мВ при 500 мкА, 10 мА
PIMH9,115 NOW NEXPERIA PIMH9 - SMALL SIGNA NXP USA Inc.	в продаже	4273	-	Насыпной	Активный	2 NPN - предварительно соединенные (сдвоенные)	100 мА	50V	10 кОм	47 кОм	100 @ 5 мА, 5 В	100 мВ при 250 мкА, 5 мА
PEMD48,115 NOW NEXPERIA PEMD48 - SMALL SIGN NXP USA Inc.	в продаже	3916	-	Насыпной	Активный	1 NPN, 1 PNP - предварительно соединенные (сдвоенные)	100 мА	50V	4,7 кОм, 22 кОм	47 кОм	80 @ 5 мА, 5 В / 100 @ 10 мА, 5 В	150 мВ при 500 мкА, 10 мА / 100 мВ при 250 мкА, 5 мА
PEMB10115 PNP/PNP RESISTOR-EQUIPPED TRANSI NXP USA Inc.	в продаже	2762	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Насыпной	Активный	2 PNP Pre-Biased (Dual)	100 мА	50V	2,2 кОм	47 кОм	100 @ 10 мА, 5 В	100 мВ при 250 мкА, 5 мА
PUMD30115 NOW NEXPERIA PUMD30 - SMALL SIGN NXP USA Inc.	в продаже	200	*	Насыпной	Активный	-	-	-	-	-	-	-
PBLS4001V,115 TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666 NXP USA Inc.	₽6.62	3921	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший	1 NPN с предварительным соединением, 1 PNP	100 мА, 500 мА	50 В, 40 В	2,2 кОм	2,2 кОм	30 @ 20 мА, 5 В / 150 @ 100 мА, 2 В	150 мВ при 500 мкА, 10 мА / 350 мВ при 50 мА, 500 мА
PBLS1504V,115 TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666 NXP USA Inc.	₽6.62	2382	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший	1 NPN с предварительным соединением, 1 PNP	100 мА, 500 мА	50 В, 15 В	22 кОм	22 кОм	60 @ 5 мА, 5 В / 150 @ 100 мА, 2 В	150 мВ при 500 мкА, 10 мА / 250 мВ при 50 мА, 500 мА
PBLS1501Y,115 TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP NXP USA Inc.	в продаже	2816	*	Насыпной	Активный	-	-	-	-	-	-	-
PBLS1504Y,115 TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP NXP USA Inc.	в продаже	2552	*	Насыпной	Активный	-	-	-	-	-	-	-
PBLS6003D,115 TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP NXP USA Inc.	₽0.88	4907	*	Насыпной	Активный	-	-	-	-	-	-	-
PEMB16,115 TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666 NXP USA Inc.	в продаже	3749	*	Насыпной	Активный	-	-	-	-	-	-	-
PEMH13,115 TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 NXP USA Inc.	₽12.77	3230	*	Насыпной	Активный	-	-	-	-	-	-	-
PUMH17,115 TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP NXP USA Inc.	в продаже	3049	*	Насыпной	Активный	-	-	-	-	-	-	-
PEMH11,115 TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 NXP USA Inc.	₽12.77	3060	*	Насыпной	Активный	-	-	-	-	-	-	-
PBLS6023D,115 TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSOP NXP USA Inc.	в продаже	3680	*	Насыпной	Активный	-	-	-	-	-	-	-

	Mfr Part #
	PUMB9,115 NEXPERIA PUMB9 - SMALL SIGNAL BI NXP Semiconductors
	PUMB2,115 NEXPERIA PUMB2 - SMALL SIGNAL BI NXP Semiconductors
	PQMH9Z Digital BJT 2 NPN - Pre-Biased ( NXP Semiconductors
	PEMB16,115 NEXPERIA PEMB16 - SMALL SIGNAL B NXP Semiconductors
	PEMH18,115 NEXPERIA PEMH18 - SMALL SIGNAL B NXP Semiconductors
	PUMH9/ZL165 Nexperia PUMH9 Small Signal Bipo NXP Semiconductors
	PUMD9/L115 SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR NXP USA Inc.
	PUMH2/HE115 SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR NXP USA Inc.
	PBLS1503V,115-NXP 0.1A 50V 2-ELEMENT NPN AND PNP NXP USA Inc.
	PUMB16,115 NOW NEXPERIA PUMB16 - SMALL SIGN NXP USA Inc.
	PEMD20,115 NOW NEXPERIA PEMD20 - SMALL SIGN NXP USA Inc.
	PIMH9,115 NOW NEXPERIA PIMH9 - SMALL SIGNA NXP USA Inc.
	PEMD48,115 NOW NEXPERIA PEMD48 - SMALL SIGN NXP USA Inc.
	PEMB10115 PNP/PNP RESISTOR-EQUIPPED TRANSI NXP USA Inc.
	PUMD30115 NOW NEXPERIA PUMD30 - SMALL SIGN NXP USA Inc.
	PBLS4001V,115 TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666 NXP USA Inc.
	PBLS1504V,115 TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666 NXP USA Inc.
	PBLS1501Y,115 TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP NXP USA Inc.
	PBLS1504Y,115 TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP NXP USA Inc.
	PBLS6003D,115 TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP NXP USA Inc.
	PEMB16,115 TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666 NXP USA Inc.
	PEMH13,115 TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 NXP USA Inc.
	PUMH17,115 TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP NXP USA Inc.
	PEMH11,115 TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 NXP USA Inc.
	PBLS6023D,115 TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSOP NXP USA Inc.