Manufacturer
Analog Devices Inc.
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Fairchild Semiconductor
Freescale Semiconductor
Infineon Technologies
International Rectifier
Intersil
Micrel Inc.
Microchip Technology
Microsemi Corporation
National Semiconductor
NXP Semiconductors
NXP USA Inc.
onsemi
Renesas
Renesas Electronics America Inc.
STMicroelectronics
Texas Instruments
Модельный ряд
*
-
CoolMOS™
CoolSiC™
CoolSiC™+
DeepGATE™, STripFET™ H6
DeepGATE™, STripFET™ VI
DeepGATE™, STripFET™ VII
DirectFET™
EasyDUAL™
EasyPACK™
EasyPACK™ CoolSiC™
EasyPACK™, CoolSiC™
FASTIRFET™
FETKY™
GreenBridge™ PowerTrench®
HEXFET®
HybridPACK™
LittleFET™
NexFET™
OptiMOS®
OptiMOS™
OptiMOS™ P
OptiMOS™-T2
OptiMOS™3
OptiMOS™T2
POWER MOS 7®
POWERTRENCH®
PowerTrench®
PowerTrench®, SyncFET™
QFET®
STripFET™
STripFET™ II
STripFET™ III
STripFET™ V
STripFET™ VI
StrongIRFET™
SuperMESH3™
SuperMESH™
TrenchMOS™
UltraFET®
UltraFET™
µCool™
Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Автомобильная промышленность, AEC-Q101, HEXFET®
Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™
Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™ 2
Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™-T2
Автомобильная промышленность, AEC-Q101, PowerTrench®
Автомобильная промышленность, AEC-Q101, SIPMOS®
Автомобильная промышленность, AEC-Q101, STripFET™
Автомобильная промышленность, AEC-Q101, STripFET™ F6
Автомобильная промышленность, AEC-Q101, STripFET™ F7
Автомобильная промышленность, AEC-Q101, STripFET™ II
Автомобильная промышленность, AEC-Q101, STripFET™ III
Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™
Автомобильная промышленность, AEC-Q101, UltraFET™
Автомобильные, AEC-Q101, STripFET™ V
Военные, MIL-PRF-19500/597
Военные, MIL-PRF-19500/599
МОЩНЫЙ МОП 8™
МОЩНЫЙ МОП V®
СИПМОС®
Пакет
Лента и катушка (TR)
Лоток
Насыпной
Разрезанная лента (CT)
Трубка
Статус части
Активный
Не для новых разработок
Последняя покупка
Снято с производства в
Устаревший
Технология
-
MOSFET (оксид металла)
Карбид кремния (SiC)
Характеристика FET
-
Затвор логического уровня
Затвор логического уровня, преобразователь 1,5 В
Затвор логического уровня, преобразователь 1,8 В
Затвор логического уровня, преобразователь 10 В
Затвор логического уровня, преобразователь 2,5 В
Затвор логического уровня, преобразователь 4 В
Затвор логического уровня, преобразователь 4,5 В
Затвор логического уровня, преобразователь 5 В
Режим истощения
Стандарт
Суперпереход
Конфигурация
-
2 N- и 2 P-канала
2 N- и 2 P-канала (полумост)
2 N-канал (фазовая ножка)
2 N-канала (двухтактный чоппер)
2 N-канала (полумост)
2 N-канала (сдвоенные)
2 N-канальные (сдвоенные) асимметричные
2 N-канальные (сдвоенные), Шоттки
2 N-канальный
2 N-канальный (сдвоенный) общий источник
2 N-канальный (сдвоенный) общий сток
2 P-канал
2 P-канала (сдвоенные)
2 P-канальный (двойной) общий источник
2 P-канальный (сдвоенный) общий сток
3 N-канал (фазовая ножка + Boost Chopper)
4 N-канал (трехуровневый инвертор)
4 N-канальные (полумост)
4 N-канальный
4 N-канальный (полумост) + мостовой выпрямитель
4 P-канал
5 N-канал (солнечный инвертор)
6 N- и 6 P-каналов
6 N-канальные (3-фазный мост)
6 N-канальный
6 N-канальный (полный мост)
7 N-канальный
N- и P-каналы
N- и P-канальные комплементарные
N- и P-канальные, с общим стоком
Напряжение между стоком и истоком (Vdss)
-
100 В, 80 В
1000 В (1 кВ)
100V
1200 В (1,2 кВ)
1200V
12V
150V
15V
16V
1700 В (1,7 кВ)
20 В, 8 В
200V
20V
22V
240V
24V
250V
25V
30 В, 12 В
30 В, 20 В
30 В, 25 В
300V
30V
35V
400V
40V
450V
500V
50V
55 В, 30 В
55V
60 В, 300 В
600V
60V
62V
650V
75V
800V
80V
8V
900V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C
-
1,3 А, 300 мА
1,8A, 1,5A
1.17A
1.1A
1.2A
1.3A
1.45A
1.4A, 1.5A
1.5A
1.6A
1.7A
1.8A
1.9A
10,5A (Ta), 29A (Tc)
10.1A (Ta)
10.1A, 12.4A
10.3A, 13.3A
10.3A, 17.9A
10.4A
100 мА
100A (Tj)
104A
10A
10A (Ta)
10A, 12A
11,5A, 12A
11.3A, 18.1A
11.7A (Ta), 36A (Tc)
11.7A, 14.2A
11.7A, 14.9A
11A
11A (Ta), 36A (Tc)
11A (Ta), 42A (Tc)
120 мА
120A
12A
12A (Ta), 49A (Tc)
12A, 15A
139A
13A (Ta), 20A (Tc), 27A (Ta), 60A (Tc)
13A, 23A
13A, 27A
140 мА
14A
14A (Ta), 52A (Tc)
14A (Ta), 74A (Tc)
14A, 11A
150 мА
15A
15A, 26A
15A, 30A
16A
16A, 18A
175A
17A
17A, 32A
18A
1A
2,5 А (Ta)
2.1A
2.2A
2.3A
2.4A
2.4A, 1.7A
2.5A
2.6A
2.7A
2.7A, 2.2A
2.8A
2.9A
2.9A, 3.2A
200 мА
208A
20A
20A (Ta)
20A (Tc)
21A (Ta), 111A (Tc)
220 мА
220 мА (Ta)
22A
250 мА
25A
25A (Ta), 145A (Tc)
25A (Tj)
278A
280 мА
28A
295 мА
2A
2A (Ta)
3,5 А (Ta)
3,5A, 2,3A
3.1A
3.2A
3.3A
3.4A
3.5A
3.6A
3.7A
3.8A
3.9A
30A
30A (Tc)
34A
350 мА
36A
37A
390 мА
39A
3A
3A, 2.5A
3A, 2A
4,5A, 3,5A
4.3A
4.5A
4.6A
4.7A
4.7A, 3.4A
4.8A
4.9A
40A
40A (Ta)
40A (Tc)
430 мА
43A
45A (Tj)
46A
49A
4A
4A (Ta)
4A, 3A
5,5A, 8,5A
5,8A (Ta)
5.1A
5.2A
5.2A, 3.4A
5.2A, 4.3A
5.3A
5.4A
5.5A
5.8A, 4.3A
500 мА
50A
51A
540 мА
540 мА, 430 мА
59A
5A
5A (Ta)
6.2A
6.3A, 8.6A
6.4A
6.5A
6.5A, 7.9A
6.6A
6.9A
6.9A, 8.2A
600 мА
60A
60A (Tj)
630 мА
630 мА, 775 мА
65A
6A
6A (Ta)
7,5A (Ta), 26A (Tc)
7.5A
7.6A, 11A
7.8A
7.8A, 8.9A
700 мА
70A
72A
750 мА
775 мА
7A
7A (Ta)
7A (Ta), 19A (Tc)
7A, 5A
8.2A
8.7A
8.9A
880 мА
89A
8A
8A (Ta)
8A (Ta), 24A (Tc)
8A (Ta), 27A (Tc)
9.2A
9.4A
9.4A (Ta), 31A (Tc)
9.6A
9.7A
90A
95A
99A
9A
9A (Ta), 32A (Tc)
9A, 6.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
1,1 Ом @ 410 мА, 4,5 В
1,2 Ом @ 390 мА, 4,5 В
1,4 Ом @ 500 мА, 10 В
1,5 Ом @ 10 мА, 4 В
1,5 Ом @ 100 мА, 4,5 В
1,6 Ом @ 500 мА, 10 В
10 мОм @ 104 А, 10 В
10 мОм @ 15 А, 10 В
10 мОм @ 69,5 А, 10 В
100 мОм @ 1,8 А, 10 В
100 мОм @ 1A, 10 В
100 мОм @ 2,2A, 10 В
100 мОм @ 2A, 4,5 В
100 мОм @ 3,5 А, 10 В
105 мОм @ 3,4 А, 10 В
11,2 мОм @ 17 А, 10 В
11,3 мОм при 100 А, 15 В
11,5 мОм @ 5 А, 10 В
110 мОм @ 3,3 А, 10 В
110 мОм @ 3А, 10В
12 мОм @ 150 А, 20 В
12 мОм @ 87,5 А, 10 В
120 мОм @ 18,5 А, 10 В
120 мОм @ 26 А, 10 В
13,4 мОм @ 10 А, 10 В
13,7 мОм @ 17 А, 10 В
130 мОм @ 1A, 10 В
130 мОм @ 3 А, 10 В
135 мОм при 2,2 А, 4,5 В
14 мОм @ 9,4 А, 4,5 В
14 мОм @ 9,6 А, 4,5 В
14,4 мОм @ 10 А, 10 В
140 мОм @ 1,5 А, 4,5 В
140 мОм @ 1,7 А, 4,5 В
15 мОм @ 5А, 10В
15,5 мОм @ 17 А, 10 В
15,5 мОм @ 9,7 А, 10 В
150 мОм @ 14 А, 10 В
150 мОм @ 2,6 А, 4,5 В
155 мОм при 2,1 А, 4,5 В
156 мОм @ 32,5 А, 10 В
16,2 мОм @ 7,6 А, 10 В
16,3 мОм при 5 А, 10 В
160 мОм @ 1,4 А, 10 В
17 мОм @ 100 А, 20 В
17 мОм @ 8 А, 4,5 В
17 мОм @ 9,2 А, 4,5 В
170 мОм @ 1,9 А, 4,5 В
175 мОм при 1,2 А, 4,5 В
18 мОм @ 6 А, 4,5 В
18 мОм @ 7,5 А, 10 В
18 мОм @ 7,5 А, 4,5 В
18 мОм @ 9 А, 4,5 В
18,3 мОм @ 8,9 А, 10 В
188 мОм @ 900 мА, 10 В
19 мОм @ 52 А, 10 В
19 мОм @ 7,5 А, 4,5 В
2 Ом @ 510 мА, 10 В
2,65 мОм при 20 А, 10 В
20 мОм @ 10,1 А, 10 В
20 мОм @ 7,1 А, 4,5 В
20 мОм @ 8 А, 10 В
20,3 мОм при 4 А, 10 В
21 мОм @ 35 А, 10 В
21 мОм @ 5,5 А, 4,5 В
21 мОм @ 8 А, 10 В
21 мОм @ 8,2 А, 10 В
21 мОм @ 8,2 А, 4,5 В
21,8 мОм @ 7,8 А, 10 В
210 мОм @ 21,5 А, 10 В
22 мОм @ 4 А, 10 В
22 мОм @ 7,5 А, 10 В
22 мОм @ 7А, 4,5 В
22,5 мОм @ 50 А, 15 В
22,6 мОм @ 3А, 10В
23 мОм @ 4 А, 4,5 В
23 мОм @ 7А, 10В
24 мОм @ 3,5 А, 10 В
24 мОм @ 44,5 А, 10 В
24 мОм @ 47,5 А, 10 В
24 мОм @ 7,8 А, 4,5 В
24 мОм @ 9 А, 10 В
25 мОм @ 5,4 А, 4,5 В
25 Ом @ 10 мА, 10 В
250 мОм @ 1A, 10 В
250 мОм @ 2A, 10 В
260 мОм @ 880 мА, 4,5 В
27 мОм @ 6,9 А, 10 В
28 мОм @ 5 А, 10 В
28 мОм @ 6,3 А, 10 В
28 мОм @ 6,5 А, 4,5 В
28 мОм @ 6А, 10В
28 мОм @ 7А, 10В
29 мОм @ 5,8 А, 10 В
29 мОм @ 6 А, 4,5 В
29 мОм @ 6А, 10В
29,7 мОм @ 3 А, 10 В
290 мОм @ 7,5 А, 10 В
3,2 мОм при 30 А, 10 В
3,7 мОм при 400 А, 15 В
3,7 Ом @ 80 мА, 4 В
3,8 мОм @ 20 А, 10 В
30 мОм @ 4,6 А, 10 В
30 мОм @ 4,7 А, 4,5 В
30 мОм @ 5,4 А, 4,5 В
30 мОм @ 5,5 А, 4,5 В
30 мОм @ 6,5 А, 4,5 В
30 мОм @ 7А, 4,5 В
300 мОм @ 1,5 А, 10 В
300 мОм @ 570 мА, 4,5 В
300 мОм @ 700 мА, 4,5 В
32 мОм @ 4,5 А, 4,5 В
32 мОм @ 6А, 10В
33 мОм @ 6,2 А, 4,5 В
33 мОм @ 7,5 А, 10 В
348 мОм @ 17 А, 10 В
35 мОм @ 15 А, 10 В
35 мОм @ 4,5 А, 10 В
35 мОм @ 5,3 А, 10 В
35 мОм @ 72 А, 10 В
350 мОм @ 950 мА, 4,5 В
36 мОм @ 15 А, 10 В
375 мОм @ 630 мА, 4,5 В
38 мОм @ 5 А, 4,5 В
39 мОм @ 49,5 А, 10 В
39 мОм @ 7,5 А, 10 В
4 Ом @ 220 мА, 4,5 В
4 Ом @ 400 мА, 4,5 В
4,2 мОм @ 16 А, 10 В
4,2 мОм при 20 А, 10 В
40 мОм @ 2,5 А, 4,5 В
40 мОм @ 4,3 А, 4,5 В
420 мОм при 11 А, 10 В
43 мОм @ 3,8 А, 4,5 В
43 мОм @ 4 А, 4,5 В
44 мОм @ 15 А, 10 В
45 мОм @ 24,5 А, 10 В
45 мОм @ 25 А, 15 В
45 мОм @ 25 А, 15 В (Typ)
45 мОм @ 45A, 10 В
45 мОм @ 5,8 А, 10 В
450 мОм @ 500 мА, 4,5 В
49 мОм при 5,1 А, 10 В
5 мОм @ 125 А, 10 В
5 мОм @ 17,5 А, 10 В
5 мОм @ 20 А, 10 В
5 Ом @ 200 мА, 4,5 В
5,4 мОм при 30 А, 10 В
5,6 мОм @ 15А, 10В
5,8 мОм @ 15 А, 10 В
50 мОм @ 2,4 А, 10 В
50 мОм @ 2,5 А, 4,5 В
50 мОм @ 2,6 А, 4,5 В
50 мОм @ 2,7 А, 10 В
50 мОм @ 2A, 10 В
50 мОм @ 4,7 А, 10 В
50 мОм @ 4A, 4,5 В
50 мОм при 5 А, 10 В
50 мОм при 5,1 А, 10 В
51 мОм @ 3,7 А, 4,5 В
540 мОм @ 9А, 10В
55 мОм @ 2A, 10 В
550 мОм @ 540 мА, 4,5 В
57 мОм @ 2,3 А, 10 В
57 мОм @ 2,3 А, 2,5 В
58 мОм @ 2,9 А, 4,5 В
58 мОм @ 4,9 А, 10 В
59 мОм @ 2A, 10 В
6 мОм @ 13А, 10В, 1,8 мОм @ 27А, 10В
6,5 мОм @ 10 А, 10 В
6,6 мОм @ 15А, 10В
6,9 мОм @ 20 А, 10 В
60 мОм @ 4 А, 10 В
60 мОм @ 52 А, 10 В
60 Ом @ 10 мА, 10 В
61 мОм @ 16 А, 10 В
65 мОм @ 15 А, 10 В
66 мОм @ 3,4 А, 4,5 В
68 мОм @ 3,7 А, 4,5 В
684 мОм @ 8,5 А, 10 В
7 мОм @ 14 А, 10 В
7 Ом @ 1A, 10 В
7,2 мОм @ 17 А, 10 В
7,4 мОм @ 10 А, 10 В
7,5 мОм @ 12 А, 10 В
7,5 Ом @ 50 мА, 5 В
7,6 мОм @ 17 А, 10 В
70 мОм @ 39 А, 10 В
78 мОм @ 25,5 А, 10 В
8 мОм @ 13 А, 10 В
80 мОм @ 1,5 А, 10 В
80 мОм @ 2,9 А, 4,5 В
80 мОм @ 2A, 10 В
90 мОм @ 2,7 А, 4,5 В
90 мОм @ 2,9 А, 4,5 В
90 мОм @ 23 А, 10 В
90 мОм @ 3,8 А, 10 В
90 мОм при 2,2 А, 4,5 В
900 мОм @ 430 мА, 4,5 В
Vgs(th) (Max) @ Id
-
1 В @ 1 мА
1 В @ 1 мкА
1 В @ 100 мкА
1 В @ 11 мкА
1 В @ 150 мА
1 В @ 250 мкА
1 В @ 250 мкА (мин.)
1,1 В @ 10 мкА
1,1 В @ 250 мкА
1,1 В @ 35 мкА
1,15 В @ 250 мкА
1,2 В @ 1,5 мкА
1,2 В @ 1,6 мкА
1,2 В @ 100 мкА
1,2 В @ 11 мкА
1,2 В @ 20 мкА
1,2 В @ 25 мкА
1,2 В @ 250 мкА
1,2 В @ 3,7 мкА
1,2 В @ 40 мкА
1,2 В @ 44 мкА
1,2 В @ 50 мкА
1,2 В @ 60 мкА
1,25 В @ 250 мкА
1,3 В @ 1 мА
1,3 В @ 250 мкА
1,4 В @ 110 мкА
1,4 В @ 250 мкА
1,5 В @ 1 мА
1,5 В @ 100 мкА
1,5 В @ 250 мкА
1,8 В @ 1 мкА
1,85 В @ 250 мкА, 1,5 В @ 250 мкА
1,9 В @ 250 мкА
1,9 В @ 250 мкА, 1,6 В @ 250 мкА
1,95 В @ 20 мА
2 В @ 1 мА
2 В @ 1 мА, 2,4 В @ 1 мА
2 В @ 10 мкА
2 В @ 100 мкА
2 В @ 11 мкА
2 В @ 13 мкА
2 В @ 14 мкА
2 В @ 19 мкА
2 В @ 20 мкА
2 В @ 20 мкА, 2 В @ 450 мкА
2 В @ 21 мкА
2 В @ 25 мкА
2 В @ 250 мкА
2 В @ 250 мкА, 2 В @ 800 мкА
2 В @ 250 мкА, 2,2 В @ 1 мА
2 В @ 27 мкА
2 В @ 3,7 мкА
2 В @ 30 мкА
2 В @ 340 мкА, 2 В @ 1 мА
2 В @ 50 мкА
2 В @ 6 мкА
2 В @ 6,3 мкА
2 В @ 9 мкА
2 В @ 96 мкА
2,1 В @ 1 мА
2,1 В @ 16 мкА
2,1 В @ 240 мкА, 2,1 В @ 850 мкА
2,1 В @ 25 мкА
2,1 В @ 250 мкА
2,1 В @ 250 мкА, 1,15 В @ 250 мкА
2,1 В @ 250 мкА, 1,6 В @ 250 мкА
2,1 В @ 35 мкА
2,1 В @ 35 мкА, 2,1 В @ 100 мкА
2,1 В @ 90 мкА
2,1 В, 1,2 В при 250 мкА
2,2 В @ 1 мА
2,2 В @ 10 мА (Typ)
2,2 В @ 10 мкА
2,2 В @ 13 мкА
2,2 В @ 15 мкА
2,2 В @ 18 мкА
2,2 В @ 2 мА (Typ)
2,2 В @ 20 мкА
2,2 В @ 22 мкА
2,2 В @ 25 мкА
2,2 В @ 250 мкА
2,2 В @ 250 мкА, 2,2 В @ 1 мА
2,2 В @ 270 мкА
2,2 В @ 28 мкА
2,2 В @ 3 мА (Typ)
2,2 В @ 30 мкА
2,2 В @ 4 мА (Typ)
2,2 В @ 40 мкА
2,2 В @ 5 мА (Typ)
2,2 В @ 8 мкА
2,2 В @ 90 мкА
2,2 В @ 98 мкА
2,25 В @ 25 мкА
2,3 В @ 10 мкА
2,3 В @ 2 мА (Typ)
2,3 В @ 2,5 мА (Typ)
2,3 В @ 250 мкА
2,3 В @ 5 мА (Typ)
2,35 В @ 25 мкА
2,4 В @ 1 мА
2,4 В @ 10 мкА
2,4 В @ 20 мА (Typ)
2,4 В @ 25 мкА
2,4 В @ 250 мкА
2,4 В @ 30 мА (Typ)
2,4 В @ 40 мА (Typ)
2,4 В @ 50 мкА
2,5 В @ 1 мА
2,5 В @ 1 мкА
2,5 В @ 250 мкА
2,5 В @ 320 мкА, 3 В @ 1 мА
2,5 В @ 44 мкА
2,55 В @ 250 мкА
2,6 В @ 1 мА
2,7 В @ 250 мкА
2,7 В @ 250 мкА, 2,5 В @ 1 мА
2,7 В @ 250 мкА, 3 В @ 1 мА
2,8 В @ 1 мА
2,8 В @ 250 мкА
200 мВ при 2,8 А, 200 мВ при 1,9 А
3 В @ 1 мА
3 В @ 10 мА
3 В @ 100 мкА
3 В @ 12,5 мА
3 В @ 13 мкА
3 В @ 158 мкА, 4 В @ 158 мкА
3 В @ 2 мА
3 В @ 25 мкА
3 В @ 250 мкА
3 В @ 250 мкА, 3 В @ 1 мА
3 В @ 3 мА
3 В @ 4 мА
3 В @ 400 мкА
3 В @ 5 мА
3 В @ 9 мА
3 В @ 9 мкА
3,5 В @ 16 мкА
3,5 В @ 20 мкА
3,5 В @ 250 мкА
3,5 В @ 3 мА
3,5 В @ 6 мА
3,5 В @ 9 мкА
3,6 В @ 250 мкА
3,6 В @ 6 мА
3,7 В @ 250 мкА
3,8 В @ 250 мкА
3,9 В @ 1 мА
3,9 В @ 2 мА
3,9 В @ 2,7 мА
3,9 В @ 25 мкА
3,9 В @ 3 мА
3,9 В @ 4 мА
3,9 В @ 5 мА
3,9 В @ 5,4 мА
3,9 В @ 50 мкА
4 В @ 1 мА
4 В @ 10 мА
4 В @ 10 мкА
4 В @ 12 мкА
4 В @ 13 мкА
4 В @ 15 мА
4 В @ 15 мкА
4 В @ 2,5 мА
4 В @ 20 мкА
4 В @ 20 мкА, 4 В @ 450 мкА
4 В @ 22 мкА
4 В @ 25 мкА
4 В @ 250 мкА
4 В @ 30 мА
4 В @ 30 мкА
4 В @ 44 мкА
4 В @ 5 мА
4 В @ 50 мкА
4 В @ 8 мА
4 В @ 8 мкА
4,5 В @ 1 мА
4,5 В @ 250 мкА
4,9 В @ 100 мкА
4,9 В @ 50 мкА
5 В @ 1 мА
5 В @ 10 мА
5 В @ 2,5 мА
5 В @ 250 мкА
5 В @ 3 мА
5 В @ 5 мА
5 В @ 6 мА
5,5 В @ 20 мА
5,55 В @ 10 мА
5,55 В @ 20 мА
5,55 В @ 240 мА
5,55 В @ 40 мА
600 мВ при 250 мкА
700 мВ @ 1 мА
700 мВ при 250 мкА
750 мВ при 1,6 мкА
750 мВ при 11 мкА
800 мВ при 250 мкА
900 мВ при 250 мкА
  • Варианты складирования
  • СМИ
Применить все

Продукты-2307 Запись

Настройка столбцов
Mfr Part #
Цена ($)
Количество в наличии
Модельный ряд
Пакет
Статус части
Технология
Характеристика FET
Конфигурация
Напряжение между стоком и истоком (Vdss)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Vgs(th) (Max) @ Id
APTM10DDAM19T3G
APTM10DDAM19T3G
APTM10DDAM19T3G
MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3
Microsemi Corporation
остановить производство2367-НасыпнойУстаревшийMOSFET (оксид металла)-2 N-канала (сдвоенные)100V70A21 мОм @ 35 А, 10 В4 В @ 1 мА
APTM120A65FT1G
APTM120A65FT1G
APTM120A65FT1G
MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1
Microsemi Corporation
остановить производство3255-НасыпнойУстаревшийMOSFET (оксид металла)-2 N-канала (полумост)1200 В (1,2 кВ)16A780 мОм @ 14 А, 10 В5 В @ 2,5 мА
APTM120DDA57T3G
APTM120DDA57T3G
APTM120DDA57T3G
MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3
Microsemi Corporation
остановить производство2414-НасыпнойУстаревшийMOSFET (оксид металла)-2 N-канала (сдвоенные)1200 В (1,2 кВ)17A684 мОм @ 8,5 А, 10 В5 В @ 2,5 мА
APTM120DSK57T3G
APTM120DSK57T3G
APTM120DSK57T3G
MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3
Microsemi Corporation
остановить производство4762-НасыпнойУстаревшийMOSFET (оксид металла)-2 N-канала (сдвоенные)1200 В (1,2 кВ)17A684 мОм @ 8,5 А, 10 В5 В @ 2,5 мА
APTM120H57FTG
APTM120H57FTG
APTM120H57FTG
MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP4
Microsemi Corporation
остановить производство1044-НасыпнойУстаревшийMOSFET (оксид металла)-4 N-канальные (полумост)1200 В (1,2 кВ)17A684 мОм @ 8,5 А, 10 В5 В @ 2,5 мА
APTM20DHM20TG
APTM20DHM20TG
APTM20DHM20TG
MOSFET 2N-CH 200V 89A SP4
Microsemi Corporation
остановить производство3180-НасыпнойСнято с производства вMOSFET (оксид металла)-2 N-канальные (сдвоенные) асимметричные200V89A24 мОм @ 44,5 А, 10 В5 В @ 2,5 мА
APTM20DUM05TG
APTM20DUM05TG
APTM20DUM05TG
MOSFET 2N-CH 200V 333A SP8
Microsemi Corporation
остановить производство1517-НасыпнойУстаревшийMOSFET (оксид металла)-2 N-канала (сдвоенные)200V333A5 мОм @ 166,5 А, 10 В4 В @ 8 мА
APTM50DUM17G
APTM50DUM17G
APTM50DUM17G
MOSFET 2N-CH 500V 180A SP6
Microsemi Corporation
остановить производство1599-НасыпнойУстаревшийMOSFET (оксид металла)-2 N-канала (сдвоенные)500V180A20 мОм @ 90 А, 10 В5 В @ 10 мА
APTJC120AM13VCT1AG
APTJC120AM13VCT1AG
APTJC120AM13VCT1AG
MOSFET SIC PHASE LEG MODULE
Microsemi Corporation
остановить производство3295-НасыпнойУстаревший-------
APTC90DSK12T1G
APTC90DSK12T1G
APTC90DSK12T1G
MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1
Microsemi Corporation
остановить производство1249CoolMOS™ЛотокУстаревшийMOSFET (оксид металла)Суперпереход2 N-канала (двухтактный чоппер)900V30A120 мОм @ 26 А, 10 В3,5 В @ 3 мА
APTM10DHM09T3G
APTM10DHM09T3G
APTM10DHM09T3G
MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
Microsemi Corporation
остановить производство4172МОЩНЫЙ МОП V®НасыпнойУстаревшийMOSFET (оксид металла)-2 N-канальные (сдвоенные) асимметричные100V139A10 мОм @ 69,5 А, 10 В4 В @ 2,5 мА
APTM50DHM65T3G
APTM50DHM65T3G
APTM50DHM65T3G
MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3
Microsemi Corporation
остановить производство2755МОЩНЫЙ МОП 8™НасыпнойУстаревшийMOSFET (оксид металла)-2 N-канальные (сдвоенные) асимметричные500V51A78 мОм @ 42 А, 10 В5 В @ 2,5 мА
APTC60DSKM70CT1G
APTC60DSKM70CT1G
APTC60DSKM70CT1G
MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1
Microsemi Corporation
остановить производство1605CoolMOS™НасыпнойУстаревшийMOSFET (оксид металла)Суперпереход2 N-канала (сдвоенные)600V39A70 мОм @ 39 А, 10 В3,9 В @ 2,7 мА
в продаже4630-НасыпнойАктивныйКарбид кремния (SiC)-2 N-канальные (сдвоенные), Шоттки1200 В (1,2 кВ)148A (Tc)25 мОм @ 80 А, 20 В3 В @ 4 мА
PMCXB1000UEZ
PMCXB1000UEZ
PMCXB1000UEZ
NEXPERIA PMCXB1000UE - 30 V, COM
NXP Semiconductors
₽8.517550*НасыпнойАктивный-------
PMDXB550UNE/S500Z
PMDXB550UNE/S500Z
PMDXB550UNE/S500Z
PMDXB550UNE - N Channel MOSFET
NXP Semiconductors
в продаже2732-НасыпнойАктивныйMOSFET (оксид металла)Стандарт2 N-канальный30V590 мА (Ta)670 мОм @ 590 мА, 4,5 В-
AFT26P100-4WSR3,128
AFT26P100-4WSR3,128
AFT26P100-4WSR3,128
RF N CHANNEL, MOSFET
NXP USA Inc.
в продаже3323*НасыпнойАктивный-------
PSMN2R2-40PS127
PSMN2R2-40PS127
PSMN2R2-40PS127
100A, 40V, 0.0022OHM, N CHANNE
NXP USA Inc.
в продаже2652*НасыпнойАктивный-------
MRF7S15100HSR3128
MRF7S15100HSR3128
MRF7S15100HSR3128
N CHANNEL ENHANCEMENT-MODE RF PO
NXP USA Inc.
₽12,812.61174*НасыпнойАктивный-------
PMDPB56XNEA,115
PMDPB56XNEA,115
PMDPB56XNEA,115
PMDPB56XNEA - 30V, DUAL N-CHANNE
NXP USA Inc.
в продаже4768*НасыпнойАктивный-------
BUK9K89-100E,115
BUK9K89-100E,115
BUK9K89-100E,115
TRANSISTOR >30MHZ
NXP USA Inc.
в продаже4413Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™НасыпнойАктивныйMOSFET (оксид металла)Затвор логического уровня2 N-канала (сдвоенные)100V12.5A85 мОм @ 5 А, 10 В2,1 В @ 1 мА
PMDPB70XP,115
PMDPB70XP,115
PMDPB70XP,115
NOW NEXPERIA PMDPB70XP - SMALL S
NXP USA Inc.
в продаже2757-НасыпнойАктивныйMOSFET (оксид металла)Затвор логического уровня2 P-канала (сдвоенные)30V2.9A87 мОм @ 2,9 А, 4,5 В1 В @ 250 мкА
PMGD8000LN,115
PMGD8000LN,115
PMGD8000LN,115
MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
NXP USA Inc.
остановить производство3229TrenchMOS™Лента и катушка (TR)УстаревшийMOSFET (оксид металла)Затвор логического уровня2 N-канала (сдвоенные)30V125 мА8 Ом @ 10 мА, 4 В1,5 В @ 100 мкА
PMDPB42UN,115
PMDPB42UN,115
PMDPB42UN,115
MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6
NXP USA Inc.
₽19.862207-Лента и катушка (TR)УстаревшийMOSFET (оксид металла)Затвор логического уровня2 N-канала (сдвоенные)20V3.9A50 мОм @ 3,9 А, 4,5 В1 В @ 250 мкА
PHC21025,118
PHC21025,118
PHC21025,118
MOSFET N/P-CH 30V SOT96-1
NXP USA Inc.
₽25.5415842*НасыпнойАктивный-------
Mfr Part #
APTM10DDAM19T3G
APTM10DDAM19T3G
APTM10DDAM19T3G
MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3
Microsemi Corporation
APTM120A65FT1G
APTM120A65FT1G
APTM120A65FT1G
MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1
Microsemi Corporation
APTM120DDA57T3G
APTM120DDA57T3G
APTM120DDA57T3G
MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3
Microsemi Corporation
APTM120DSK57T3G
APTM120DSK57T3G
APTM120DSK57T3G
MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3
Microsemi Corporation
APTM120H57FTG
APTM120H57FTG
APTM120H57FTG
MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP4
Microsemi Corporation
APTM20DHM20TG
APTM20DHM20TG
APTM20DHM20TG
MOSFET 2N-CH 200V 89A SP4
Microsemi Corporation
APTM20DUM05TG
APTM20DUM05TG
APTM20DUM05TG
MOSFET 2N-CH 200V 333A SP8
Microsemi Corporation
APTM50DUM17G
APTM50DUM17G
APTM50DUM17G
MOSFET 2N-CH 500V 180A SP6
Microsemi Corporation
APTJC120AM13VCT1AG
APTJC120AM13VCT1AG
APTJC120AM13VCT1AG
MOSFET SIC PHASE LEG MODULE
Microsemi Corporation
APTC90DSK12T1G
APTC90DSK12T1G
APTC90DSK12T1G
MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1
Microsemi Corporation
APTM10DHM09T3G
APTM10DHM09T3G
APTM10DHM09T3G
MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
Microsemi Corporation
APTM50DHM65T3G
APTM50DHM65T3G
APTM50DHM65T3G
MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3
Microsemi Corporation
APTC60DSKM70CT1G
APTC60DSKM70CT1G
APTC60DSKM70CT1G
MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1
Microsemi Corporation
PMCXB1000UEZ
PMCXB1000UEZ
PMCXB1000UEZ
NEXPERIA PMCXB1000UE - 30 V, COM
NXP Semiconductors
PMDXB550UNE/S500Z
PMDXB550UNE/S500Z
PMDXB550UNE/S500Z
PMDXB550UNE - N Channel MOSFET
NXP Semiconductors
AFT26P100-4WSR3,128
AFT26P100-4WSR3,128
AFT26P100-4WSR3,128
RF N CHANNEL, MOSFET
NXP USA Inc.
PSMN2R2-40PS127
PSMN2R2-40PS127
PSMN2R2-40PS127
100A, 40V, 0.0022OHM, N CHANNE
NXP USA Inc.
MRF7S15100HSR3128
MRF7S15100HSR3128
MRF7S15100HSR3128
N CHANNEL ENHANCEMENT-MODE RF PO
NXP USA Inc.
PMDPB56XNEA,115
PMDPB56XNEA,115
PMDPB56XNEA,115
PMDPB56XNEA - 30V, DUAL N-CHANNE
NXP USA Inc.
BUK9K89-100E,115
BUK9K89-100E,115
BUK9K89-100E,115
TRANSISTOR >30MHZ
NXP USA Inc.
PMDPB70XP,115
PMDPB70XP,115
PMDPB70XP,115
NOW NEXPERIA PMDPB70XP - SMALL S
NXP USA Inc.
PMGD8000LN,115
PMGD8000LN,115
PMGD8000LN,115
MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
NXP USA Inc.
PMDPB42UN,115
PMDPB42UN,115
PMDPB42UN,115
MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6
NXP USA Inc.
PHC21025,118
PHC21025,118
PHC21025,118
MOSFET N/P-CH 30V SOT96-1
NXP USA Inc.
45
Обслуживание клиентов в 45 странах
1000+
Мировые производители
$140M
За пять лет рост составил 140 млн. долл. США
50.0M+
Доставка 50 миллионов за 5 лет.