ВЧ-транзисторы, МОП-транзисторы

Номер детали:

Manufacturer

Analog Devices Inc.

Broadcom Limited

Fairchild Semiconductor

Freescale Semiconductor

Infineon Technologies

Microchip Technology

Microsemi Corporation

NXP Semiconductors

NXP USA Inc.

onsemi

Renesas Electronics America Inc.

Skyworks Solutions Inc.

STMicroelectronics

Texas Instruments

Модельный ряд

A3I20X050GN

A3I20X050N

Автомобильная промышленность, AEC-Q101

ГОЛДМОС®

Пакет

Box

Лента и катушка (TR)

Лента и коробка (ТБ)

Лоток

Насыпной

Полоса

Разрезанная лента (CT)

Сумка

Трубка

Статус части

Активный

Не для новых разработок

Последняя покупка

Снято с производства в

Устаревший

Технология

E-pHEMT

GaAs HJ-FET

GaN

GaN HEMT

HEMT

HFET

JFET

LDMOS

LDMOS (Dual)

LDMOS (сдвоенный), общий источник

MESFET

MOSFET

N-канальный

pHEMT-транзистор

Частота

1 ГГц

1 кГц

1 МГц ~ 1 ГГц

1 МГц ~ 2,5 ГГц

1 МГц ~ 2,7 ГГц

1,03 ГГц

1,03 ГГц ~ 1,09 ГГц

1,034 ГГц

1,09 ГГц

1,2 ГГц ~ 1,4 ГГц

1,215 ГГц

1,3 ГГц

1,4 ГГц

1,452 ГГц ~ 1,511 ГГц

1,47 ГГц ~ 1,51 ГГц

1,5 ГГц

1,51 ГГц

1,6 ГГц

1,6 ГГц ~ 1,66 ГГц

1,8 ГГц

1,8 ГГц ~ 1,88 ГГц

1,8 ГГц ~ 2 ГГц

1,8 ГГц ~ 2,2 ГГц

1,8 ГГц ~ 3,6 ГГц

1,8 МГц ~ 1,215 ГГц

1,8 МГц ~ 2 ГГц

1,8 МГц ~ 250 МГц

1,8 МГц ~ 400 МГц

1,8 МГц ~ 470 МГц

1,8 МГц ~ 500 МГц

1,8 МГц ~ 512 МГц

1,8 МГц ~ 600 МГц

1,805 ГГц ~ 1,88 ГГц

1,805 ГГц ~ 1,995 ГГц

1,805 ГГц ~ 2,2 ГГц

1,81 ГГц

1,81 ГГц ~ 1,88 ГГц

1,84 ГГц

1,88 ГГц

1,88 ГГц ~ 1,91 ГГц

1,88 ГГц ~ 2,025 ГГц

1,88 ГГц ~ 2,03 ГГц

1,9 ГГц

1,92 ГГц

1,93 ГГц

1,93 ГГц ~ 1,9 ГГц

1,93 ГГц ~ 1,99 ГГц

1,96 ГГц

1,98 ГГц ~ 2,01 ГГц

1,99 ГГц

10 ГГц

10 МГц ~ 600 МГц

100 МГц

100 МГц ~ 2,5 ГГц

100 МГц ~ 2,69 ГГц

12 ГГц

123 МГц

128 МГц

13,56 МГц

130 МГц

136 МГц ~ 941 МГц

150 МГц

175 МГц

2 ГГц

2 ГГц ~ 2,2 ГГц

2 ГГц ~ 2,7 ГГц

2,02 ГГц

2,03 ГГц

2,1 ГГц ~ 2,2 ГГц

2,1 ГГц ~ 2,9 ГГц

2,11 ГГц

2,11 ГГц ~ 2,16 ГГц

2,11 ГГц ~ 2,17 ГГц

2,11 ГГц ~ 2,2 ГГц

2,12 ГГц

2,14 ГГц

2,16 ГГц

2,16 ГГц ~ 2,17 ГГц

2,17 ГГц

2,3 ГГц

2,3 ГГц ~ 2,4 ГГц

2,3 ГГц ~ 2,5 ГГц

2,3 ГГц ~ 2,69 ГГц

2,3 ГГц ~ 2,7 ГГц

2,32 ГГц

2,39 ГГц

2,4 ГГц

2,4 ГГц ~ 2,5 ГГц

2,42 ГГц

2,45 ГГц

2,48 ГГц

2,496 ГГц ~ 2,69 ГГц

2,5 ГГц

2,5 ГГц ~ 2,69 ГГц

2,5 ГГц ~ 2,7 ГГц

2,58 ГГц

2,59 ГГц

2,6 ГГц

2,62 ГГц

2,66 ГГц

2,68 ГГц

2,69 ГГц

2,7 ГГц

2,7 ГГц ~ 3,1 ГГц

2,7 ГГц ~ 3,5 ГГц

2,9 ГГц

2,9 ГГц ~ 3,3 ГГц

20 ГГц

200 МГц

220 МГц

225 МГц

230 МГц

235 МГц

27 МГц

27 МГц ~ 250 МГц

27,12 МГц

3 ГГц

3 ГГц ~ 3,5 ГГц

3,1 ГГц ~ 3,5 ГГц

3,2 ГГц ~ 4 ГГц

3,3 ГГц ~ 3,7 ГГц

3,3 ГГц ~ 3,8 ГГц

3,3 ГГц ~ 4,3 ГГц

3,4 ГГц ~ 3,6 ГГц

3,5 ГГц

3,55 ГГц

3,6 ГГц ~ 3,8 ГГц

3,6 ГГц ~ 700 МГц

30 МГц

30 МГц ~ 2,2 ГГц

30 МГц ~ 3,5 ГГц

4 ГГц

40,68 МГц

40,7 МГц

400 МГц

400 МГц ~ 2,7 ГГц

45 МГц

450 МГц

460 МГц

465 МГц

470 МГц

470 МГц ~ 1,215 ГГц

470 МГц ~ 860 МГц

500 МГц

512 МГц

520 МГц

595 МГц ~ 851 МГц

6 ГГц

600 МГц

616 МГц ~ 870 МГц

65 МГц

700 МГц ~ 1 ГГц

700 МГц ~ 1,2 ГГц

700 МГц ~ 1,3 ГГц

700 МГц ~ 1,7 ГГц

700 МГц ~ 2,2 ГГц

716 МГц ~ 960 МГц

720 МГц ~ 960 МГц

728 МГц

728 МГц ~ 2,7 ГГц

728 МГц ~ 3,6 ГГц

728 МГц ~ 960 МГц

748 МГц

760 МГц

765 МГц

768 МГц

80 МГц

800 МГц

803 МГц

81 МГц

81,36 МГц

820 МГц

820 МГц ~ 960 МГц

821 МГц

857 МГц ~ 863 МГц

860 МГц

865 МГц ~ 895 МГц

865 МГц ~ 960 МГц

869 МГц ~ 960 МГц

870 МГц

871,5 МГц

871,5 МГц ~ 891,5 МГц

880 МГц

880 МГц ~ 960 МГц

894 МГц

894,2 МГц

895 МГц

900 МГц

900 МГц ~ 1,215 ГГц

920 МГц

920 МГц ~ 960 МГц

940 МГц

945 МГц

952,5 МГц ~ 957,5 МГц

960 МГц

960 МГц ~ 1,215 ГГц

960 МГц ~ 1,22 ГГц

965 МГц ~ 1,215 ГГц

Прирост

10 дБ

10,5 дБ

10,8 дБ

11 дБ

11,5 дБ

12 дБ

12,4 дБ

12,5 дБ

13 дБ

13,1 дБ

13,3 дБ

13,4 дБ

13,5 дБ

13,6 дБ

13,9 дБ

14 дБ

14,1 дБ

14,2 дБ

14,3 дБ

14,4 дБ

14,5 дБ

14,6 дБ

14,7 дБ

14,8 дБ

14,9 дБ

15 дБ

15 дБ ~ 17 дБ

15,1 дБ

15,2 дБ

15,3 дБ

15,4 дБ

15,5 дБ

15,6 дБ

15,7 дБ

15,8 дБ

15,9 дБ

16 дБ

16,1 дБ

16,2 дБ

16,3 дБ

16,4 дБ

16,5 дБ

16,6 дБ

16,7 дБ

16,8 дБ

16,9 дБ

17 дБ

17,2 дБ

17,3 дБ

17,4 дБ

17,5 дБ

17,6 дБ

17,7 дБ

17,8 дБ

17,9 дБ

18 дБ

18,1 дБ

18,2 дБ

18,3 дБ

18,4 дБ

18,5 дБ

18,6 дБ

18,7 дБ

18,8 дБ

18,9 дБ

19 дБ

19,1 дБ

19,2 дБ

19,3 дБ

19,4 дБ

19,5 дБ

19,6 дБ

19,7 дБ

19,8 дБ

19,9 дБ

20 дБ

20,1 дБ

20,2 дБ

20,3 дБ

20,4 дБ

20,6 дБ

20,8 дБ

20,9 дБ

21 дБ

21,1 дБ

21,2 дБ

21,3 дБ

21,4 дБ

21,5 дБ

21,7 дБ

22 дБ

22,1 дБ

22,5 дБ

22,7 дБ

22,8 дБ

23 дБ

23,1 дБ

23,3 дБ

23,5 дБ

23,7 дБ

23,9 дБ

24 дБ

24,4 дБ

24,6 дБ

24,7 дБ

24,8 дБ

25 дБ

25,1 дБ

25,4 дБ

25,5 дБ

25,6 дБ

25,9 дБ

26 дБ

26,1 дБ

26,4 дБ

26,5 дБ

26,8 дБ

27 дБ

27,7 дБ

27,8 дБ

28 дБ

28,2 дБ

28,5 дБ

28,9 дБ

29 дБ

29,2 дБ

29,3 дБ

30 дБ

30,5 дБ

30,7 дБ

31 дБ

31,9 дБ

32 дБ

32,1 дБ

32,4 дБ

32,6 дБ

33,5 дБ

35 дБ

35,9 дБ

9 дБ

Напряжение - Тест

1.5 V

10 V

10.8 V

100 V

12 V

12.5 V

125 V

13.6 V

13.7 V

135 V

15 V

150 V

2 V

2.7 V

200 V

250 V

26 V

28 V

3 V

3.5 V

30 V

300 V

31 V

31.5 V

32 V

36 V

380 V

4 V

4.5 V

4.8 V

400 V

48 V

5 V

50 V

52 V

6 V

65 V

7.5 V

8 V

9 V

Номинальный ток (амперы)

1 мА

1 мкА

1.3A

1.5A

1.7A

10 мА

10 мкА

10.2A

100 мА

100 мкА

100 нА

10A

11A

12 мА

120 мА

12A

13 мА

13A

145 мА

14A

15 мА

15A

17A

18 мА

18A

2 мА

2 мкА

2,5 мА

2,8 мкА

2.1A

2.5A

20 мА

20 мкА

200 мкА

20A

22A

25 мА

25 мА, 20 мА

25 мкА

250 мА

250 мА, 1 А

25A

28A

29A

30 мА

300 мА

305 мА

30A

32A

37A

4 мА

4,2 мкА

40 мА

40A

45 мА

49A

5 мА

5 мкА

50 мА

50 мкА

500 мА

50A

54A

55 мА

6 мкА

6,5 мА

6.5A

60 мА

60A

64A

7 мА

7 мкА

70 мА

8 мА

80 мА

800 мкА

88 мА

900 мА

97 мА

Коэффициент шума

0,3 дБ

0,35 дБ

0,4 дБ

0,45 дБ

0,5 дБ

0,6 дБ

0,65 дБ

0,7 дБ

0,75 дБ

0,8 дБ

0,81 дБ

0,85 дБ

0,9 дБ

1 дБ

1,1 дБ

1,2 дБ

1,3 дБ

1,4 дБ

1,5 дБ

1,6 дБ

1,7 дБ

1,8 дБ

2 дБ

2,1 дБ

2,2 дБ

2,8 дБ

3 дБ

4 дБ

Ток - Тест

1 A

1 мА

1.05 A

1.08 A

1.1 A

1.15 A

1.2 A

1.25 A

1.3 A

1.35 A

1.4 A

1.41 A

1.5 A

1.55 A

1.6 A

1.7 A

1.75 A

1.8 A

1.85 A

1.9 A

1.95 A

10 мА

100 мА

106 мА

110 мА

12 мА

120 мА

125 мА

130 мА

132 мА

135 мА

138 мА

14 мА

140 мА

145 мА

15 мА

150 мА

157 мА

16 мА

160 мА

17 мА

170 мА

175 мА

18 мА

180 мА

185 мА

19 мА

190 мА

2 A

2.15 A

2.2 A

2.4 A

2.6 A

2.8 A

20 мА

200 мА

224 мА

230 мА

24 мА

25 мА

250 мА

250 мкА

26 мА

275 мА

280 мА

285 мА

291 мА

3.4 A

30 мА

300 мА

320 мА

330 мА

350 мА

360 мА

370 мА

4 A

40 мА

400 мА

430 мА

450 мА

5 мА

50 мА

500 мА

520 мА

55 мА

550 мА

59 мА

6 мА

60 мА

600 мА

610 мА

65 мА

650 мА

680 мА

688 мА

690 мА

70 мА

700 мА

720 мА

75 мА

750 мА

763 мА

77 мА

80 мА

800 мА

850 мА

860 мА

90 мА

900 мА

950 мА

970 мА

Варианты складирования

На складе
СМИ

Информационный листФото

Применить все

Продукты-2516 Запись

Настройка столбцов

Mfr Part #	Цена ($)	Количество в наличии	Модельный ряд	Пакет	Статус части	Технология	Частота	Прирост	Напряжение - Тест	Номинальный ток (амперы)	Коэффициент шума	Ток - Тест
VRF191 MOSFET RF N-CH 100V 150W T11 Microsemi Corporation	остановить производство	2202	-	Трубка	Устаревший	MOSFET	30 МГц	22 дБ	100 V	12A	-	250 мА
ARF441 PWR MOSFET RF N-CH 150V TO-247AD Microsemi Corporation	остановить производство	3489	-	Трубка	Устаревший	MOSFET	13,56 МГц	21 дБ	50 V	11A	-	200 мА
ARF443 PWR MOSFET RF N-CH 300V TO-247AD Microsemi Corporation	остановить производство	4569	-	Трубка	Устаревший	-	-	-	-	-	-	-
MW7IC930GNR1 MW7IC930G - SRF LDMOS Wideband I NXP USA Inc.	остановить производство	2188	-	Насыпной	Устаревший	LDMOS (Dual)	920 МГц ~ 960 МГц	35,9 дБ	28 V	10 мкА	-	285 мА
AFT27S010NT1 AFT27S010N - AIRFAST RF POWER LD NXP USA Inc.	₽907.21	2790	-	Насыпной	Устаревший	LDMOS	728 МГц ~ 3,6 ГГц	21,7 дБ	28 V	10 мкА	-	90 мА
AFT09MP055NR1 AFT09MP055N - Broadband RF Power NXP USA Inc.	₽2,049.97	351	-	Насыпной	Активный	LDMOS (Dual)	-	-	12.5 V	-	-	550 мА
MRF6V2010NR1528 RF Power Field-Effect Transistor NXP Semiconductors	₽2,900.43	3530	-	Насыпной	Устаревший	LDMOS	-	-	50 V	-	-	30 мА
MW7IC930NR1 MW7IC930N - SRF LDMOS Wideband I NXP USA Inc.	₽5,674.10	2130	-	Насыпной	Устаревший	LDMOS (Dual)	920 МГц ~ 960 МГц	35,9 дБ	28 V	10 мкА	-	285 мА
MRF24301HSR5 MRF24301 - RF POWER LDMOS TRANSI NXP USA Inc.	₽8,479.93	100	-	Насыпной	Устаревший	LDMOS	2,4 ГГц ~ 2,5 ГГц	13,5 дБ	-	-	-	-
A2V09H400-04NR3 Airfast RF Power LDMOS Transisto NXP USA Inc.	₽9,034.29	250	-	Насыпной	Активный	LDMOS (Dual)	720 МГц ~ 960 МГц	17,9 дБ	48 V	10 мкА	-	688 мА
MHT1004NR3 MHT1004N - RF Power LDMOS Transi NXP USA Inc.	₽11,809.85	158	-	Насыпной	Устаревший	LDMOS	-	15,2 дБ	32 V	10 мкА	-	100 мА
SA2T18H450W19SR6 A2T18H450 - AIRFAST RF POWER LDM NXP Semiconductors	₽18,692.94	25650	-	Насыпной	Устаревший	LDMOS	1,805 ГГц ~ 1,88 ГГц	16,6 дБ	30 V	10 мкА	-	800 мА
A2T21H450W19SR6 A2T21H450W19 - AIRFAST RF POWER NXP USA Inc.	₽20,568.85	277	-	Насыпной	Устаревший	LDMOS	2,11 ГГц ~ 2,2 ГГц	15,7 дБ	30 V	10 мкА	-	800 мА
AFV10700HR5 Airfast RF Power LDMOS Transisto NXP USA Inc.	₽46,943.30	127	-	Насыпной	Активный	LDMOS (Dual)	960 МГц ~ 1,215 ГГц	-	52 V	1 мкА	-	100 мА
MMRF1014NT1 FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5 NXP USA Inc.	₽1,243.04	927	-	Лента и катушка (TR)	Активный	LDMOS	1,96 ГГц	18 дБ	28 V	-	-	50 мА
MRFG35003N6AT1 FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5 NXP USA Inc.	₽1,943.08	863	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший	pHEMT-транзистор	3,55 ГГц	10 дБ	6 V	-	-	180 мА
AFT31150NR5 RF MOSFET LDMOS 32V OM-780-2 NXP USA Inc.	₽18,341.97	148	-	Лента и катушка (TR)	Активный	LDMOS	2,7 ГГц ~ 3,1 ГГц	17,2 дБ	32 V	10 мкА	-	100 мА
MRFE6VP61K25HR6 FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230 NXP USA Inc.	₽21,358.76	202	-	Лента и катушка (TR)	Активный	LDMOS	230 МГц	24 дБ	50 V	-	-	100 мА
MRFE6VP8600HR5 FET RF 2CH 130V 860MHZ NI-1230 NXP USA Inc.	₽28,206.85	128	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший	LDMOS	860 МГц	19,3 дБ	50 V	-	-	1.4 A
AFM906NT1 RF MOSFET LDMOS 10.8V 16DFN NXP USA Inc.	₽278.12	181	-	Лента и катушка (TR)	Активный	LDMOS	136 МГц ~ 941 МГц	-	10.8 V	2 мкА	-	100 мА
MMRF1019NR4 FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5 NXP USA Inc.	₽7,365.54	135	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший	LDMOS	1,09 ГГц	25 дБ	50 V	-	-	10 мА
MMRF1316NR1 FET RF 2CH 133V 230MHZ TO270 NXP USA Inc.	₽7,821.51	160	-	Лента и катушка (TR)	Активный	LDMOS	230 МГц	27 дБ	50 V	-	-	100 мА
AFT18S230SR5 RF MOSFET LDMOS 28V NI-780S-6 NXP USA Inc.	₽12,122.97	110	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший	LDMOS	1,88 ГГц	19 дБ	28 V	-	-	1.8 A
A3G26D055N-2110 RF REFERENCE CIRCUIT 25W 2110-22 NXP USA Inc.	₽63,854.93	103	-	Насыпной	Активный	GaN	100 МГц ~ 2,69 ГГц	13,9 дБ	48 V	-	-	40 мА
A3G26D055N-1805 RF REFERENCE CIRCUIT 25W 1805-18 NXP USA Inc.	₽63,854.93	103	-	Насыпной	Активный	GaN	100 МГц ~ 2,69 ГГц	13,9 дБ	48 V	-	-	40 мА

	Mfr Part #
	VRF191 MOSFET RF N-CH 100V 150W T11 Microsemi Corporation
	ARF441 PWR MOSFET RF N-CH 150V TO-247AD Microsemi Corporation
	ARF443 PWR MOSFET RF N-CH 300V TO-247AD Microsemi Corporation
	MW7IC930GNR1 MW7IC930G - SRF LDMOS Wideband I NXP USA Inc.
	AFT27S010NT1 AFT27S010N - AIRFAST RF POWER LD NXP USA Inc.
	AFT09MP055NR1 AFT09MP055N - Broadband RF Power NXP USA Inc.
	MRF6V2010NR1528 RF Power Field-Effect Transistor NXP Semiconductors
	MW7IC930NR1 MW7IC930N - SRF LDMOS Wideband I NXP USA Inc.
	MRF24301HSR5 MRF24301 - RF POWER LDMOS TRANSI NXP USA Inc.
	A2V09H400-04NR3 Airfast RF Power LDMOS Transisto NXP USA Inc.
	MHT1004NR3 MHT1004N - RF Power LDMOS Transi NXP USA Inc.
	SA2T18H450W19SR6 A2T18H450 - AIRFAST RF POWER LDM NXP Semiconductors
	A2T21H450W19SR6 A2T21H450W19 - AIRFAST RF POWER NXP USA Inc.
	AFV10700HR5 Airfast RF Power LDMOS Transisto NXP USA Inc.
	MMRF1014NT1 FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5 NXP USA Inc.
	MRFG35003N6AT1 FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5 NXP USA Inc.
	AFT31150NR5 RF MOSFET LDMOS 32V OM-780-2 NXP USA Inc.
	MRFE6VP61K25HR6 FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230 NXP USA Inc.
	MRFE6VP8600HR5 FET RF 2CH 130V 860MHZ NI-1230 NXP USA Inc.
	AFM906NT1 RF MOSFET LDMOS 10.8V 16DFN NXP USA Inc.
	MMRF1019NR4 FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5 NXP USA Inc.
	MMRF1316NR1 FET RF 2CH 133V 230MHZ TO270 NXP USA Inc.
	AFT18S230SR5 RF MOSFET LDMOS 28V NI-780S-6 NXP USA Inc.
	A3G26D055N-2110 RF REFERENCE CIRCUIT 25W 2110-22 NXP USA Inc.
	A3G26D055N-1805 RF REFERENCE CIRCUIT 25W 1805-18 NXP USA Inc.