Manufacturer
Cypress Semiconductor Corp
Freescale Semiconductor
Infineon Technologies
NXP Semiconductors
NXP USA Inc.
onsemi
Модельный ряд
*
-
Автомобильная промышленность, AEC-Q101
ЭМП
Пакет
-
Лента и катушка (TR)
Насыпной
Разрезанная лента (CT)
Статус части
Активный
Не для новых разработок
Последняя покупка
Снято с производства в
Устаревший
Тип транзистора
-
1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
1 NPN с предварительным соединением, 1 PNP
1 NPN, 1 PNP - предварительно соединенные (сдвоенные)
1 NPN, 1 PNP - с предварительным соединением
1 PNP Pre-Biased, 1 PNP
2 NPN - предварительно соединенные (сдвоенные)
2 NPN - с предварительным соединением
2 NPN, 1 PNP - с предварительным соединением
2 PNP - предварительно соединенные (сдвоенные)
2 PNP Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (Ic) (макс.)
-
100 мА
100 мА, 200 мА
100 мА, 3 А
100 мА, 500 мА
100 мА, 700 мА
150 мА
200 мА
500 мА
70 мА
70 мА, 100 мА
Напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.)
-
50 В, 12 В
50 В, 15 В
50 В, 20 В
50 В, 40 В
50 В, 60 В
50 В, 65 В
50V
Резистор - база (R1)
-
1 кОм
10 кОм
100 кОм
13 кОм, 130 Ом
175 Ом, 10 кОм
2,2 кОм
2,2 кОм, 47 кОм
22 кОм
4,7 кОм
4,7 кОм, 10 кОм
4,7 кОм, 22 кОм
4,7 кОм, 47 кОм
47 кОм
47 кОм, 10 кОм
47 кОм, 2,2 кОм
47 кОм, 4,7 кОм
Резистор - база эмиттера (R2)
-
1 кОм
10 кОм
10 кОм, 47 кОм
100 кОм
175 Ом, 10 кОм
2,2 кОм
22 кОм
4,7 кОм
4,7 кОм, 10 кОм
47 кОм
47 кОм, 10 кОм
47 кОм, 47 кОм
Усиление постоянного тока (hFE) (мин.) при Ic, Vce
-
100 @ 1 мА, 5 В
100 @ 1 мА, 5 В / 68 @ 100 мА, 5 В
100 @ 10 мА, 5 В
100 @ 5 мА, 5 В
120 @ 5 мА, 5 В
15 @ 5 мА, 10 В
160 @ 5 мА, 10 В
20 @ 5 мА, 10 В
200 @ 1 мА, 5 В
3 @ 5 мА, 10 В
30 @ 10 мА, 5 В
30 @ 10 мА, 5 В / 150 @ 100 мА, 2 В
30 @ 10 мА, 5 В / 150 @ 2А, 2 В
30 @ 20 мА, 5 В
30 @ 20 мА, 5 В / 150 @ 100 мА, 2 В
30 @ 20мА, 5В / 150 @ 2А, 2В
30 @ 5 мА, 5 В
30 @ 5 мА, 5 В / 150 @ 100 мА. 2V
30 @ 5 мА, 5 В / 150 @ 2 А, 2 В
30 @ 5 мА, 5 В / 200 @ 10 мА, 2 В
30 @ 5 мА, 5 В / 210 @ 2 мА, 10 В
35 @ 5 мА, 10 В
35 @ 5 мА, 10 В / 15 @ 5 мА, 10 В
35 @ 5 мА, 10 В / 200 @ 2 мА, 5 В
35 @ 5 мА, 10 В / 220 @ 2 мА, 5 В
50 @ 5 мА, 5 В
60 @ 5 мА, 10 В
60 @ 5 мА, 5 В
60 @ 5 мА, 5 В / 150 @ 100 мА, 2 В
60 @ 5 мА, 5 В / 300 @ 100 мА, 5 В
70 @ 5 мА, 5 В
70 @ 50 мА, 5 В
8 @ 5 мА, 10 В
80 @ 5 мА, 1 В
80 @ 5 мА, 10 В
80 @ 5 мА, 10 В / 100 @ 1 мА, 10 В
80 @ 5 мА, 10 В / 120 @ 1 мА, 6 В
80 @ 5 мА, 10 В / 120 @ 5 мА, 10 В
80 @ 5 мА, 10 В / 20 @ 5 мА, 10 В
80 @ 5 мА, 10 В / 220 @ 2 мА, 5 В
80 @ 5 мА, 10 В / 270 @ 10 мА, 2 В
80 @ 5 мА, 5 В
80 @ 5 мА, 5 В / 100 @ 10 мА, 5 В
80 @ 5 мА, 5 В / 120 @ 1 мА, 6 В
80 @ 5 мА, 5 В / 150 @ 100 мА, 2 В
80 @ 5 мА, 5 В / 150 @ 500 мА, 5 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic
-
100 мВ при 250 мкА, 5 мА
150 мВ @ 500 мкА, 10 мА / 200 мВ @ 5 мА, 50 мА
150 мВ при 500 мкА, 10 мА
150 мВ при 500 мкА, 10 мА / 100 мВ при 250 мкА, 5 мА
150 мВ при 500 мкА, 10 мА / 250 мВ при 10 мА, 100 мА
150 мВ при 500 мкА, 10 мА / 250 мВ при 50 мА, 500 мА
150 мВ при 500 мкА, 10 мА / 310 мВ при 100 мА, 1 А
150 мВ при 500 мкА, 10 мА / 340 мВ при 100 мА, 1 А
150 мВ при 500 мкА, 10 мА / 350 мВ при 50 мА, 500 мА
150 мВ при 500 мкА, 10 мА / 355 мВ при 300 мА, 3 А
250 мВ @ 300 мкА, 10 мА / 250 мВ @ 10 мА, 200 мА
250 мВ @ 300 мкА, 10 мА / 400 мВ @ 5 мА, 50 мА
250 мВ @ 300 мкА, 10 мА / 500 мВ @ 5 мА, 50 мА
250 мВ @ 300 мкА, 10 мА / 600 мВ @ 5 мА, 100 мА
250 мВ @ 300 мкА, 10 мА / 650 мВ @ 5 мА, 100 мА
250 мВ @ 5 мА, 10 мА / 500 мВ @ 5 мА, 50 мА
250 мВ при 1 мА, 10 мА
250 мВ при 1 мА, 10 мА / 250 мВ при 300 мкА, 10 мА
250 мВ при 300 мкА, 10 мА
250 мВ при 300 мкА, 10 мА / 250 мВ при 1 мА, 10 мА
250 мВ при 300 мкА, 10 мА / 300 мВ при 500 мкА, 10 мА
250 мВ при 5 мА, 10 мА
300 мВ при 1 мА, 10 мА
300 мВ при 2,5 мА, 50 мА
300 мВ при 500 мкА, 10 мА
  • Варианты складирования
  • СМИ
Применить все

Продукты-596 Запись

Настройка столбцов
Mfr Part #
Цена ($)
Количество в наличии
Модельный ряд
Пакет
Статус части
Тип транзистора
Ток - коллектор (Ic) (макс.)
Напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.)
Резистор - база (R1)
Резистор - база эмиттера (R2)
Усиление постоянного тока (hFE) (мин.) при Ic, Vce
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic
NSBC114YPDXV6T1
NSBC114YPDXV6T1
NSBC114YPDXV6T1
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
onsemi
₽3.786000-Лента и катушка (TR)-1 NPN, 1 PNP - предварительно соединенные (сдвоенные)100 мА50V10 кОм47 кОм80 @ 5 мА, 10 В250 мВ при 300 мкА, 10 мА
BCR10PNE6327BTSA1
BCR10PNE6327BTSA1
BCR10PNE6327BTSA1
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Infineon Technologies
остановить производство2682-Лента и катушка (TR)-1 NPN, 1 PNP - предварительно соединенные (сдвоенные)100 мА50V10 кОм10 кОм30 @ 5 мА, 5 В300 мВ при 500 мкА, 10 мА
MUN5332DW1T1
MUN5332DW1T1
MUN5332DW1T1
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
onsemi
₽2.294927-Лента и катушка (TR)-1 NPN, 1 PNP - предварительно соединенные (сдвоенные)100 мА50V4,7 кОм4,7 кОм15 @ 5 мА, 10 В250 мВ при 1 мА, 10 мА
BCR129SE6327
BCR129SE6327
BCR129SE6327
BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Infineon Technologies
₽2.836000-Насыпной-2 PNP - предварительно соединенные (сдвоенные)100 мА50V10 кОм-120 @ 5 мА, 5 В300 мВ при 500 мкА, 10 мА
PUMB16,115
PUMB16,115
PUMB16,115
NOW NEXPERIA PUMB16 - SMALL SIGN
NXP USA Inc.
₽1.89112500-Насыпной-2 PNP - предварительно соединенные (сдвоенные)100 мА50V22 кОм47 кОм80 @ 5 мА, 5 В150 мВ при 500 мкА, 10 мА
PUMH10/ZL115
PUMH10/ZL115
PUMH10/ZL115
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
NXP USA Inc.
₽2.8321000-Насыпной--------
PUMH2/HE115
PUMH2/HE115
PUMH2/HE115
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
NXP USA Inc.
₽2.8327000-Насыпной--------
BCR185SH6327XTSA1
BCR185SH6327XTSA1
BCR185SH6327XTSA1
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Infineon Technologies
₽44.46138-Лента и катушка (TR)-2 PNP - предварительно соединенные (сдвоенные)100 мА50V10 кОм47 кОм70 @ 5 мА, 5 В300 мВ при 500 мкА, 10 мА
NSVB1706DMW5T1G
NSVB1706DMW5T1G
NSVB1706DMW5T1G
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC88-A
onsemi
₽39.733041-Лента и катушка (TR)-2 NPN - предварительно соединенные (сдвоенные)100 мА50V4,7 кОм47 кОм80 @ 5 мА, 10 В250 мВ при 1 мА, 10 мА
NSBC114YDXV6T1G
NSBC114YDXV6T1G
NSBC114YDXV6T1G
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
onsemi
₽19.0848000-Лента и катушка (TR)-2 NPN - предварительно соединенные (сдвоенные)100 мА50V10 кОм47 кОм80 @ 5 мА, 10 В250 мВ при 300 мкА, 10 мА
PBLS6023D,115
PBLS6023D,115
PBLS6023D,115
TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSOP
NXP USA Inc.
в продаже3680-Насыпной--------
BCR523UE6327HTSA1
BCR523UE6327HTSA1
BCR523UE6327HTSA1
TRANS 2NPN PREBIAS 0.33W SC74
Infineon Technologies
₽15.324515-Лента и катушка (TR)-2 NPN - предварительно соединенные (сдвоенные)500 мА50V1 кОм10 кОм70 @ 50 мА, 5 В300 мВ при 2,5 мА, 50 мА
PBLS1503Y,115
PBLS1503Y,115
PBLS1503Y,115
NEXPERIA PBLS1503Y - SMALL SIGNA
NXP Semiconductors
₽3.82222347-Насыпной--------
NSBC115TPDP6T5G
NSBC115TPDP6T5G
NSBC115TPDP6T5G
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
onsemi
₽6.356470-Лента и катушка (TR)-1 NPN, 1 PNP - предварительно соединенные (сдвоенные)100 мА50V100 кОм-160 @ 5 мА, 10 В250 мВ при 1 мА, 10 мА
MUN5312DW1T2G
MUN5312DW1T2G
MUN5312DW1T2G
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
onsemi
₽26.484991-Лента и катушка (TR)-1 NPN, 1 PNP - предварительно соединенные (сдвоенные)100 мА50V22 кОм22 кОм60 @ 5 мА, 10 В250 мВ при 300 мкА, 10 мА
NSVMUN5314DW1T3G
NSVMUN5314DW1T3G
NSVMUN5314DW1T3G
TRANS NPN/PNP 50V BIPO SC88-6
onsemi
₽35.00110000-Лента и катушка (TR)-1 NPN, 1 PNP - предварительно соединенные (сдвоенные)100 мА50V10 кОм47 кОм80 @ 5 мА, 10 В250 мВ при 300 мкА, 10 мА
NSVMUN5213DW1T3G
NSVMUN5213DW1T3G
NSVMUN5213DW1T3G
TRANS NPN 50V DUAL BIPO SC88-6
onsemi
₽190.7750000-Лента и катушка (TR)-2 NPN - предварительно соединенные (сдвоенные)100 мА50V47 кОм47 кОм80 @ 5 мА, 10 В250 мВ при 300 мкА, 10 мА
SMUN5115DW1T1G
SMUN5115DW1T1G
SMUN5115DW1T1G
TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363
onsemi
₽2.291150-Лента и катушка (TR)-2 PNP - предварительно соединенные (сдвоенные)100 мА50V10 кОм-160 @ 5 мА, 10 В250 мВ при 300 мкА, 10 мА
MUN5335DW1T1G
MUN5335DW1T1G
MUN5335DW1T1G
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
onsemi
₽12.7250000-Лента и катушка (TR)-1 NPN, 1 PNP - предварительно соединенные (сдвоенные)100 мА50V2,2 кОм47 кОм80 @ 5 мА, 10 В250 мВ при 300 мкА, 10 мА
NSBC143TDXV6T5G
NSBC143TDXV6T5G
NSBC143TDXV6T5G
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
onsemi
₽7.563090-Лента и катушка (TR)-2 NPN - предварительно соединенные (сдвоенные)100 мА50V4,7 кОм-160 @ 5 мА, 10 В250 мВ при 1 мА, 10 мА
PUMH17,115
PUMH17,115
PUMH17,115
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP
NXP USA Inc.
в продаже3049-Насыпной--------
NSBC115TDP6T5G
NSBC115TDP6T5G
NSBC115TDP6T5G
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
onsemi
₽9.973251-Лента и катушка (TR)-2 NPN - предварительно соединенные (сдвоенные)100 мА50V100 кОм-160 @ 5 мА, 10 В250 мВ при 5 мА, 10 мА
PEMD20,115
PEMD20,115
PEMD20,115
NOW NEXPERIA PEMD20 - SMALL SIGN
NXP USA Inc.
₽5.673465-Насыпной-1 NPN, 1 PNP - предварительно соединенные (сдвоенные)100 мА50V2,2 кОм2,2 кОм30 @ 20 мА, 5 В150 мВ при 500 мкА, 10 мА
BCR08PNB6327XT
BCR08PNB6327XT
BCR08PNB6327XT
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Infineon Technologies
остановить производство3017-Лента и катушка (TR)-1 NPN, 1 PNP - предварительно соединенные (сдвоенные)100 мА50V2,2 кОм47 кОм70 @ 5 мА, 5 В300 мВ при 500 мкА, 10 мА
NSVBC124EPDXV6T1G
NSVBC124EPDXV6T1G
NSVBC124EPDXV6T1G
SS SOT563 DUAL RSTR XSTR
onsemi
₽317.95800000-Лента и катушка (TR)-1 NPN, 1 PNP - предварительно соединенные (сдвоенные)100 мА50V22 кОм22 кОм60 @ 5 мА, 10 В250 мВ при 300 мкА, 10 мА
Mfr Part #
NSBC114YPDXV6T1
NSBC114YPDXV6T1
NSBC114YPDXV6T1
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
onsemi
BCR10PNE6327BTSA1
BCR10PNE6327BTSA1
BCR10PNE6327BTSA1
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Infineon Technologies
MUN5332DW1T1
MUN5332DW1T1
MUN5332DW1T1
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
onsemi
BCR129SE6327
BCR129SE6327
BCR129SE6327
BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Infineon Technologies
PUMB16,115
PUMB16,115
PUMB16,115
NOW NEXPERIA PUMB16 - SMALL SIGN
NXP USA Inc.
PUMH10/ZL115
PUMH10/ZL115
PUMH10/ZL115
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
NXP USA Inc.
PUMH2/HE115
PUMH2/HE115
PUMH2/HE115
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
NXP USA Inc.
BCR185SH6327XTSA1
BCR185SH6327XTSA1
BCR185SH6327XTSA1
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Infineon Technologies
NSVB1706DMW5T1G
NSVB1706DMW5T1G
NSVB1706DMW5T1G
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC88-A
onsemi
NSBC114YDXV6T1G
NSBC114YDXV6T1G
NSBC114YDXV6T1G
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
onsemi
PBLS6023D,115
PBLS6023D,115
PBLS6023D,115
TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSOP
NXP USA Inc.
BCR523UE6327HTSA1
BCR523UE6327HTSA1
BCR523UE6327HTSA1
TRANS 2NPN PREBIAS 0.33W SC74
Infineon Technologies
PBLS1503Y,115
PBLS1503Y,115
PBLS1503Y,115
NEXPERIA PBLS1503Y - SMALL SIGNA
NXP Semiconductors
NSBC115TPDP6T5G
NSBC115TPDP6T5G
NSBC115TPDP6T5G
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
onsemi
MUN5312DW1T2G
MUN5312DW1T2G
MUN5312DW1T2G
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
onsemi
NSVMUN5314DW1T3G
NSVMUN5314DW1T3G
NSVMUN5314DW1T3G
TRANS NPN/PNP 50V BIPO SC88-6
onsemi
NSVMUN5213DW1T3G
NSVMUN5213DW1T3G
NSVMUN5213DW1T3G
TRANS NPN 50V DUAL BIPO SC88-6
onsemi
SMUN5115DW1T1G
SMUN5115DW1T1G
SMUN5115DW1T1G
TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363
onsemi
MUN5335DW1T1G
MUN5335DW1T1G
MUN5335DW1T1G
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
onsemi
NSBC143TDXV6T5G
NSBC143TDXV6T5G
NSBC143TDXV6T5G
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
onsemi
PUMH17,115
PUMH17,115
PUMH17,115
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP
NXP USA Inc.
NSBC115TDP6T5G
NSBC115TDP6T5G
NSBC115TDP6T5G
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
onsemi
PEMD20,115
PEMD20,115
PEMD20,115
NOW NEXPERIA PEMD20 - SMALL SIGN
NXP USA Inc.
BCR08PNB6327XT
BCR08PNB6327XT
BCR08PNB6327XT
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Infineon Technologies
NSVBC124EPDXV6T1G
NSVBC124EPDXV6T1G
NSVBC124EPDXV6T1G
SS SOT563 DUAL RSTR XSTR
onsemi
45
Обслуживание клиентов в 45 странах
1000+
Мировые производители
$140M
За пять лет рост составил 140 млн. долл. США
50.0M+
Доставка 50 миллионов за 5 лет.